Издателям
Вышедшие номера
Влияние температуры и степени покрытия на взаимодействие самария с поверхностью кремния Si(111)
Крачино Т.В.1, Кузьмин М.В.1, Логинов М.В.1, Митцев М.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

Изучено взаимодействие атомов Sm с поверхностью Si(111). Исследования проводились методами дифракции медленных электронов, электронной Оже-спектроскопии и контактной разности потенциалов в широкой области температур кремния (от комнатной до 1140 K), при которых самарий наносился на поверхность образцов. Интервал покрытий охватывал значения от 0 до 55 монослоев. Показано, что форма низкоэнергетического Оже-спектра самария зависит от степени покрытия, а ее изменение коррелирует с изменением валентности атомов Sm. Установлено, что при осаждении самария на кремний при комнатной температуре упорядоченные структуры не образуются и что на начальных этапах этого процесса происходит частичное перемешивание атомов металла и полупроводника. Когда самарий наносится на подогретый кремний (900 и 1140 K), то вначале образуется адсорбированная пленка (переходный слой), структура которой определяется степенью покрытия и температурой, а затем на переходном слое начинают расти трехмерные кристаллиты силицидов. Их форма зависит от температуры подложки. Этой зависимостью обусловлена связь между температурой и покрытием, при котором происходит коалесценция кристаллитов.
  • М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев, Т.В. Крачино. ФТТ 37, 4, 1030 (1995)
  • Т.В. Крачино, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 39, 2, 256 (1997)
  • Т.В. Крачино, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 39, 9, 1672 (1997)
  • Т.В. Крачино, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 40, 2, 371 (1998)
  • F.P. Netzer. J. Phys.: Condens. Matter 7, 6, 991 (1995)
  • C. Wigren, J.N. Andersen, R. Nyholm, M. Gothelid, M. Hammar, C. Tornevik, U.O. Karlsson. Phys. Rev. B48, 15, 11 014 (1993)
  • O. Sakho, M. Sacchi, F. Sirotti, G. Rossi. Phys. Rev. B47, 3797 (1993)
  • C. Wigren, J.N. Andersen, R. Nyholm, U.O. Karlsson. Surf. Sci. 293, 254 (1993)
  • С.Е. Ефимовский, М.В. Логинов, Н.В. Мамро, М.А. Митцев. Письма в ЖТФ 13, 16 1013 (1987)
  • G.K. Wertheim, G. Crecelius. Phys. Rev. Lett. 40, 12, 813 (1978)
  • W. Monch. Semiconductor Surfaces and Interfaces. Springer, Berlin (1993). 366 p
  • G. Rossi. Surf. Sci. Rep. 7, 1/2, 1 (1987)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.