В кристаллах GaN методом электронного парамагнитного резонанса обнаружены дефекты, проявляющие метастабильные свойства. Наблюдались спектры ЭПР двух центров (ii1a и ii1b) с аксиальной симметрией вдоль гексагональной оси кристалла, имеющих резкоанизотропные g-факторы. С повышением температуры анизотропия спектров уменьшается и изменяется форма линий. Спектры ii1a и ii1b центров исчезают при температурах 25 и 50 K соответственно. Последующее охлаждение образцов не приводит к восстановлению сигналов ЭПР, т. е. наблюдаются явления, присущие дефектам с метастабильными состояниями. Для восстановления сигналов ЭПР необходимо произвести нагревание до комнатной температуры с соблюдением ряда специфических условий. Обсуждается возможная микроструктура обнаруженных дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.