Вышедшие номера
Пространственное распределение, накопление и отжиг радиационных дефектов в кремнии, имплантированном высокоэнергетичными ионами криптона и ксенона
Челядинский А.Р.1, Вариченко В.С.1, Зайцев А.М.1
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Поступила в редакцию: 20 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

Представлены результаты исследования методом рентгеновской дифракции особенностей дефектообразования в кремнии, облученном ионами Kr+ (210 MeV, 8·1012-3·1014 cm-2) и Xe+ (5.6 GeV, 5·1011-5·1013 cm-2). Установлено, что такое облучение приводит к образованию в объеме кремния дефектной структуры, состоящей из ионных треков, имеющих плотность, меньшую по сравнению с матрицей. Особенности дефектообразования обсуждаются с учетом каналирования части ионов по ранее сформированным трекам и доминирующей роли электронных потерь высокоэнергетичных ионов. Показано, что эффективность введения стабильных дефектов при внедрении высокоэнергетичных ионов ниже, чем при имплантации ионов средних масс с энергией в сотни килоэлектронвольт.
  1. А.Н. Жевно, В.В. Сидорик, В.Д. Ткачев. ДАН БССР 20, 409 (1976)
  2. O.J. Araika, A.R. Chelyadinskii, V.A. Dravin, Yu.R. Suprun-Belevich, V.P. Tolstykh. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B73, 503 (1993)
  3. N.I. Berejnov, V.F. Stelmakh, A.R. Chelyadinskii. Phys. Stat. Sol. (a) 78, K121 (1983)
  4. W. Jung, G.S. Newell. Phys. Rev. 132, 648 (1963)
  5. В.А. Ботвин, Ю.В. Горелкинский, В.О. Сигле, М.А. Губисов. ФТП 6, 1683 (1972)
  6. Y.H. Lee, N.N. Gerasimenko, J.W. Corbett. Phys. Rev. B14, 4506 (1976)
  7. K.L. Brower. Phys. Rev. B14, 872 (1976)
  8. M. Jadan, N.I. Berezhnov, A.R. Chelyadinskii. Phys. Stat. Sol. (b) 189, K1 (1995).
  9. L.J. Cheng, M.L. Swanson. J. Appl. Phys. 41, 2627 (1970)
  10. V.A. Martinovich, A.R. Chelyadinskii, V.S. Varichenko, N.M. Penina, E.N. Drozdova, A.M. Zaitsev, W.R. Fahrner. Abstracts Conf. of German Phys. Soc. Regensburg, Germany (1996). P. 1547
  11. V.S. Varichenko, A.M. Zaitsev, N.M. Kazutchits, A.R. Chelyadinskii, N.M. Penina, V.A. Martinovich, Ya.I. Latushko, W.R. Fahrner. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B107, 268 (1996)
  12. J.F. Gibbons. Proc. IEEE 60, 1062 (1972)
  13. P. Sigmund. Appl. Phys. Lett. 14, 114 (1969)
  14. G.D. Watkins. Lattice Defects in Semiconductors. Inst. of Phys., London-Bristol (1975). P. 1.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.