Методом абсорбционной спектроскопии с наносекундным разрешением при комнатной температуре изучены закономерности создания и эволюции первичной дефектности в кристаллах CaF₂, SrF₂ и BaF₂ при воздействии импульса ускоренных электронов. Показано, что спектрально-кинетические характеристики автолокализованных экситонов (АЭ), создаваемых в ненарушенных участках решетки этих кристаллов, качественно подобны. Обнаружена частичная поляризация поглощения АЭ в CaF₂. Усложнение структуры спектров переходного поглощения в ряду CaF₂, SrF₂, BaF₂ связано с образованием экситонов, локализованных в фазовых включениях гомологической катионной примеси. Спектральные характеристики экситонов, локализованных в ненарушенных участках решетки CaF₂ и SrF₂ и в их фазовых включениях в BaF₂, совпадают, однако время релаксации последних оказывается значительно меньше. В области спектра <= 5 eV обнаружено короткоживущее (tau=< 100 ns) поглощение дефектов неизвестной природы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.