Вышедшие номера
Переход диэлектрик--металл в монокристаллах высокотемпературного сверхпроводника Bi-2201
Бурбаев Т.М.1, Курбатов В.А.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 1 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

В анизотропных монокристаллах высокотемпературного сверхпроводника BiSrCuO (фаза 2201) исследован характер изменения температурных зависимостей удельного сопротивления в ab-плоскости, rho(T), при переходе диэлектрик-металл. При низких температурах с изменением параметра близости к переходу зависимость Мотта для двумерного случая (rho~ exp(T0/T)1/3) сменяется зависимостью rho~ exp(T1/T)1/2, отвечающей прыжковой проводимости при наличии кулоновской щели в плотности состояний. В образцах вблизи перехода обнаружены отрицательные температурные наклоны. Проведенные оценки показывают, что в этих образцах сверхпроводимость наступает из состояния андерсоновского диэлектрика. По измерениям магнитной восприимчивости на переменном токе исследовано поведение ширины сверхпроводящего перехода и температуры его начала Tc on при переходе диэлектрик-металл. Показано, что вблизи перехода диэлектрик-металл сверхпроводящий переход становится шире, а начало перехода Tc on смещается в область более высоких температур. Такое поведение объясняется неоднородной сверхпроводимостью, возникновением в кристалле сверхпроводящих капель с различной величиной Tc, вследствие флуктуации локальной плотности состояний, обусловленной внутренней неупорядоченностью материала. Сверхпроводимость носит при этом перколяционный характер.
  1. J.I. Gorina, G.A. Kaljushnaia, V.I. Ktitorov, V.P. Martovitsky, V.V. Rodin, V.A. Stepanov, S.I. Vedeneev. Solid State Commun. 91, 8, 615 (1994)
  2. R.M. Fleming, S.A. Sunshine, L.F. Schneemeyer, R.B. Van Dover, R.J. Cava, P.M. Marsh, J.V. Waszczak, S.H. Glarum, S.M. Zahurak. Physica 173, 1--2, 37 (1991)
  3. G.Yu, C.H. Lee, D. Mihailovic, A.J. Heeger. Phys. Rev. B48, 10, 7545 (1993).
  4. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). 416 с
  5. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1982). 658 с
  6. А.В. Митин, Г.М. Кузьмичева, В.В. Мурашов, Е.Р. Хлыбов. ЖЭТФ 107, 6, 1943 (1995)
  7. Б.И. Шкловский. ФТП 7, 1, 112 (1973)
  8. C. Quitmann, P. Almeras, Jian Ma, R.J. Kelley, H. Berger, G. Margaritondo, M. Onellion. J. Superconduct. 8, 5, 635 (1995)
  9. В.Ф. Гантмахер, В.Н. Зверев, В.М. Теплинский, Г.Э. Цыдынжапов, О.И. Баркалов. ЖЭТФ 104, 3(9), 3217 (1993)
  10. М.В. Садовский. СФХТ 8, 3, 337 (1995)
  11. В.Ф. Гантмахер, В.Н. Зверев, В.М. Теплинский, О.И. Баркалов. ЖЭТФ 103, 4, 1460 (1993)
  12. А.А. Горбацевич, Ю.В. Копаев, И.В. Токатлы. ЖЭТФ 101, 3, 971 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.