Издателям
Вышедшие номера
Влияние свободных электрон-дырочных пар на насыщение экситонного поглощения в GaAs / AlGaAs-квантовых ямах
Литвиненко К.Л.1, Хвам Й.М.2, Лысенко В.Г.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
2Mikroelektronik Centret, DTU, D Lyngby, Denmark
Поступила в редакцию: 11 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.

При помощи экспериментальной методики накачки и зондирования исследовано влияние фотовозбужденных носителей на динамику спектров экситонного поглощения GaAs / AlxGa1-xAs-многослойных квантовых ям. Применение метода анализа моментов для обработки результатов позволило выделить одновременный вклад изменения силы осциллятора и уширения экситонных линий в насыщение экситонного поглощения. Оказалось, что сила осциллятора восстанавливает свое первоначальное значение в течение первых 100--130 ps, тогда как уширение и энергетический сдвиг экситонных линий наблюдаются в течение 700--800 ps. Впервые экспериментально измерена плотность насыщения силы осциллятора в случае влияния на экситонное состояние только свободных электрон-дырочных пар и в случае влияния только других экситонов.
  • К. Литвиненко, А. Горшунов, Й.М. Хвам, В.Г. Лысенко. Письма в ЖЭТФ, в печати
  • N. Peyghambarian, H.M. Gibbs. Phys. Rev. Lett. 53, 25, 2433 (1984)
  • W.H. Koch, R.L. Fork, M.C. Downer et al. Phys. Rev. Lett. 54, 1306 (1985)
  • S. Schmitt-Rink, D.S. Chemla, D.A.B. Miller. Phys. Rev. B32, 6601 (1985)
  • R. Zimmermann. Phys. Stat. Sol. (b) 146, 371 (1988)
  • P.C. Becker, D. Lee, A.M. Johnson et al. Phys. Rev. Lett. 68, 1876 (1992)
  • L. Schultheis, J. Kuhl, A. Honold et al. Phys. Rev. Lett. 57, 1635 (1986)
  • Г. Корн, Т. Корн. Справочник по математике. Наука, М. (1970)
  • D.R. Wake, H.W. Yoon, J.P. Wolfe et al. Phys. Rev. B46, 20, 13 452 (1992)
  • P. Lefebre, P. Cristol, M. Mathieu. Phys. Rev. B48, 17 308 (1993)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.