Издателям
Вышедшие номера
Оптическая спектроскопия глубоких состояний в ZnTe
Квит А.В.1, Медведев С.А.1, Клевков Ю.В.1, Зайцев В.В.1, Онищенко Е.Е.1, Клоков А.В.1, Багаев В.С.1, Цикунов А.В.1, Пересторонин А.В.1, Якимов М.В.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 17 сентября 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.

Методами низкотемпературной фотолюминесценции и ИК Фурье-спектроскопии исследовалась динамика изменения спектра глубоких состояний стехиометрического ZnTe на разных этапах очистки и при отжиге его в насыщенных парах Zn. Анализируется взаимосвязь концентрации основных остаточных примесей с вероятностью комплексообразования. Впервые в ZnTe, так же как и ранее в CdTe и ZnSe, удалось наблюдать излучение Z-центра. Показано, что в ZnTe этот центр является многозарядной примесью. Определены энергии активации этих уровней. При сопоставлении данных химического анализа с оптическими спектрами сделан вывод о том, что этот центр обусловлен изолированным кислородом на подрешетке металлоида. Это излучение имеет одинаковые специфические особенности в ряде соединений II--VI (высокий темп рекомбинации, узкие линии излучения, чрезвычайно слабое электрон-фононное взаимодействие), однако положение уровней в запрещенной зоне и характерное зарядовое состояние существенно отличают ZnTe от CdTe и ZnSe. Как правило, Z-центр возникает в материалах после распада различных комплексов (например, комплекса, ответственного за излучение 1.65 eV в ZnTe) и исчезает при легировании материала с образованием тех же самых комплексов. Сделано предположение, что этот центр создает основные компенсирующие глубокие уровни и является очень важной составляющей легко образующихся комплексов с примесями. Его положение в нижней половине запрещенной зоны ZnTe (в отличие от ZnSe и CdTe) создает трудности в получении материала n-типа.
  • J.L. Merz. Phys. Rev. 176, 3, 96 (1968)
  • В.С. Багаев, В.В. Зайцев, В.В. Калинин, Е.Е. Онищенко. ФТТ 38, 6, 1728 (1996)
  • S. Medvedieff, Yu. Klevkov, A. Kvit, A. Perestoronin, V. Bagaev, A. Plotnikov, A. Karuzskii. J. Cryst. Growth, in press
  • Y. Hishida, T. Toda, T. Yamaguchi. J. Cryst. Growth 117, 1--4, 396 (1992)
  • P.J. Dean, H. Venghaus, J.C. Pfister, B. Schaub, J. Marine. J. Lumin. 16, 363 (1978)
  • Y. Biao, M. Azoulay, M.A. George, A. Burger, W.E. Collins, E. Silberman, C.-H.Su, M.E. Volz, F.R. Szofran, D.C. Gillies. J. Cryst. Griwth 138, 219 (1994)
  • A. Naumov, K. Wolf, T. Reisinger, H. Stanzl, W. Gebhardt. J. Appl. Phys. 73, 2581 (1993)
  • A.V. Kvit, Y.V. Klevkov, S.R. Oktyabrsky, B.G. Zhurkin. Mat. Sci. Eng. B26, 1 (1994)
  • A.V. Kvit, Yu.V. Klevkov, S.R. Oktyabrsky, B.G. Zhurkin. Semicond. Sci. Technol. 9, 1805 (1994)
  • A. Gukasyan, A. Kvit, Yu. Klevkov, S. Oktyabrsky. Solid State Commun. 97, 10, 897 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.