Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Экситонные восприимчивости полупроводников при высоких уровнях лазерного возбуждения
1Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Тирасполь, Молдова 
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.
Исследовано гистерезисное поведение действительной и мнимой частей восприимчивости полупроводника в экситонной области спектра при учете экситон-фононного и упругого экситон-экситонного взаимодействий в режиме pump-probe в зависимости от интенсивности и частоты сильного лазерного импульса и частоты зондирующего импульса. Определены условия возникновения эффекта подавления затухания и усиления зондирующего импульса. Предсказаны скачкообразные красный и фиолетовый сдвиги спектрального положения полосы экситонного поглощения в зависимости от интенсивности импульса накачки.
- А.А. Гоголин, Э.И. Рашба. Письма в ЖЭТФ 17, 690 (1973)
- П.И. Хаджи. Кинетика рекомбинационного излучения экситонов и биэкситонов в полупроводниках. Штиинца, Кишинев (1977)ю
- J.M. Hvam, C. Dornfeld, H. Schwab. Phys. Stat. Sol. (b) 150, 387 (1988)
- Vu Duy Phach, A. Bivas, B. Honerlage, J.B. Grun. Phys. Stat. Sol. (b) 84, 731 (1977)
- R. Levy, B. Honerlage, J.B. Grun. Phys. Stat. Sol. (b) 150, 825 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
