Вышедшие номера
Экситоны в гетероэпитаксиальных структурах CdSe/CdS
Федоров Д.Л.1, Денисов Е.П.1, Тенишев Л.Н.2, Чернышов М.Б.2, Кузнецов П.И.3, Якущева Г.Г.3
1Балтийский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт радиоэлектроники Российской академии наук, Фрязино, Московская обл., Россия
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

С использованием рентгеновской дифрактометрии и низкотемпературной экситонной спектроскопии исследованы гетероэпитаксиальные слои CdSe/CdS, выращенные в интервале температур 350-485oC методом MOCVD. Установлено, что высокотемпературные образцы демонстрируют экситонные и рентгеновские дифракционные спектры, характерные для гексагональных структур вюртцита (W), в то время как низкотемпературные образцы проявляют особенности, характерные для кубической структуры сфалерита (ZB). Ряд образцов обнаруживает рентгеновские спектры, характерные для структур с дефектами упаковки (SF), представляющими в изучаемых структурах отдельную кристаллическую фазу. Установлен факт пространственного разделения отдельных кристаллических фаз.