Вышедшие номера
Экситоны в предионизационном электрическом поле барьера Шоттки
Новиков А.Б.1, Новиков Б.В.1, Роппишер Г.1, Селькин А.В.1, Штайн Н.1, Юферев Р.Б.1, Бумай Ю.А.1
1Научно-исследовательский институт физики при Санкт-Петербургском государственном университете, Петродворец, Россия
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

Исследованы низкотемпературные (T=80 K) спектры экситонного отражения света кристаллов CdS в электрическом поле барьера Шоттки. Зарегистрировано аномальное штарковское смещение водородоподобного экситонного состояния в предынизационном пределе. Из анализа спектров, выполненного в рамках теории нелокального диэлектрического отклика в пространственно неоднородной среде, установлен характер распределения подбарьерного электрического поля.
  1. А.Г. Аронов, А.С. Иоселевич. В сб.: Экситоны / Под ред. Э.И. Рашба и М.Д. Стерджа. Наука М. (1985). С. 193
  2. R.J. Damburg, V.V. Kolosov. J. Phys. B9, 3358 (1976)
  3. А.В. Селькин. Вестн. СПбГУ. Сер. 4, 2( 11), 87 (1996)
  4. В.А. Киселев, Б.В. Новиков, А.Е. Чередниченко. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников. Изд-во ЛГУ, Л. (1987)
  5. D.E. Aspnes. In: Handbook on Semiconductors / Ed. T.S. Moss. North-Holland, N. Y. (1980). V. 2. P. 109

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.