Вышедшие номера
Создание экситонов и дефектов в кристалле CsI при импульсном электронном облучении
Гафиатулина Е.С.1, Чернов С.А.1, Яковлев В.Ю.1
1Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 23 сентября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

Представлены данные по изучению влияния температуры интервала 80-650 K на спектрально-кинетические характеристики люминесценции и переходного поглощения неактивированных кристаллов CsI при облучении импульсными электронными пучками (< E>=0.25 MeV, t1/2=15 ns, j=20 A/cm2). В структуре коротковолновой части спектров переходного поглощения при T=80-350 K выявлены особенности, указывающие на то, что ядерная подсистема автолокализованных экситонов (АЛЭ) за время их жизни до излучательной аннигиляции при T<= 80 K в CsI многократно трансформируется, попеременно занимая двух- и трехгалоидную ионную конфигурации. Установлено, что явления температурного роста выхода радиационных дефектов, F- и H-центров окраски, и тушения УФ-люминесценции в CsI возникают в одной температурной области (выше 350 K) и характеризуются одинаковыми значениями термической активации (~ 0.22 eV). Предполагается, что АЛЭ в кристалле CsI могут иметь как центральную, так и нецентральную конфигурации трехгалоидного ионного остова; высокотемпературное свечение кристаллов CsI связывается с излучательной аннигиляцией нецентрального АЛЭ со структурой (I-(I0I-e-) )*.
  1. A.N. Belsky, A.N. Vasil'ev, V.V. Mikhalin, A.V. Gektin, P. Martin, C. Pedrini, D. Bouttet. Phys. Rev. B49, 18, 13 197 (1994)
  2. H. Nishimura, M. Sakata, T. Tsujimoto, M. Nakayama. Phys. Rev. B51, 4, 2167 (1995)
  3. H. Lamatsch, J. Rossel, E. Saurer. Phys. Stat. Sol. (b) 41, 2, 605 (1970)
  4. T. Iida, Y. Nakaoka, von der J.P. Weid, M.A. Aegerter. J. Phys. C131, 6, 983 (1980)
  5. L. Falco, von der J.P. Weid, M.A. Aegerter, T. Iida, Y. Nakaoka. J. Phys. C131, 6, 993 (1980)
  6. В.А. Кравченко, В.М. Лисицын, В.Ю. Яковлев. ФТТ 27, 7, 2181 (1985)
  7. R.G. Fuller, R.T. Williams, M.N. Kabler. Phys. Rev. Lett. 25, 7, 446 (1970)
  8. R.T. Williams, M.N. Kabler. Phys. Rev. B9, 4, 1897 (1974)
  9. R.T. Williams, K.S. Song. J. Phys. Chem. Sol. 50, 7, 679 (1990)
  10. N. Itoh. Adv. Phys. 31, 5, 491 (1982)
  11. R.T. Williams, M.N. Kabler, W. Hayes, J.P. Stott. Phys. Rev. B14, 2, 725 (1976)
  12. J. Konitzer, H. Hersh. J. Phys. Chem. Sol. 27, 771 (1966)
  13. И.А. Парфианович, Э.Э. Пензина. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. Вост.-сиб. кн. изд-во. Иркутск (1977). 208 с
  14. В.В. Колотилин, В.И. Штанько. ФТТ 26, 1, 236 (1984)
  15. В.Ю. Яковлев. ФТТ 26, 11, 3334 (1984)
  16. S. Iwai, T. Tokizaki, A. Nakamura, T. Shibata, K. Tanimura, A. Shluger, N. Itoh. J. Lumin. 60--61, 720 (1994)
  17. Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. М. (1963). 696 с
  18. R.T. Williams, K.S. Song, W.L. Faust, C.H. Leung. Phys. Rev. B33, 10, 7232 (1986)
  19. T. Toyozawa. J. Phys. Soc. Jap. 44, 2, 482 (1978)
  20. N. Itoh, T. Eshita, R.T. Williams. Phys. Rev. B34, 6, 4230 (1986)
  21. K. Kan'no, K. Tanaka, T. Hayashi. Rev. Sol. Stat. Sci. 4, 383 (1990)
  22. T. Matsumoto, S. Kawata, A. Miyamoto, K. Kan'no. J. Phys. Soc. Jap. 61, 11, 4229 (1992)
  23. R.T. Williams, B.B. Craig, W.L. Faust. Phys. Rev. Lett. 52, 19, 1709 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.