Вышедшие номера
Локализованные оптические фононы в сверхрешетках GaAs / AlAs, выращенных на поверхностях (311) A и (311) B
Милехин А.1, Пусеп Ю.1, Яновский Ю.1, Преображенский В.1, Семягин Б.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 23 сентября 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.

Исследованы оптические колебательные моды в сверхрешетках GaAs/AlAs, выращенных в направлении [311]. Анализ частот TO- и LO-локализованных мод, наблюдаемых в ИК-спектрах отражения, показал, что различие частот TO- и LO-мод в сверхрешетках, выращенных на поверхностях (311) A и (311) B, обусловлено различной длиной локализации этих мод. Дисперсия поперечных оптических фононов GaAs, полученная из ИК-спектров отражения, хорошо соответствует данным комбинационного рассеяния света.
  1. R. Notzel, L. Daweritz, K. Ploog. Phys. Rev. B46, 4736 (1992)
  2. R. Notzel, N.N. Ledentsov, L. Daweritz, M. Hohenstein. K. Ploog. Phys. Rev. Lett. 67, 3812 (1991)
  3. R. Notzel, K. Ploog. J. Vac. Sci. Technol. A10, 617 (1992).
  4. R. Notzel, N.N. Ledentsov, L. Daweritz, K. Ploog, M. Hohenstein. Phys. Rev. B45, 3507 (1992).
  5. Yu.A. Pusep, S.W. da Silva, J.C. Galzerani, D.I. Lubyshev, P. Basmaji. Phys. Rev. B51, 5473 (1995)
  6. Z.V. Popovich, E. Richter, J. Spitzer, M. Cardona, A.J. Shield, R. Notzel, K. Ploog. Phys. Rev. B49, 11, 7577 (1994)
  7. P. Castrillo, L. Colombo. Phys. Rev. B49. N 15. P. 10362. (1994)
  8. D.W. Berreman. Phys. Rev. 130, 2193 (1963)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.