Издателям
Вышедшие номера
Исследования структуры дефектов в кристаллах In4Se3 методом малоуглового рассеяния нейтронов
Гарамус В.М.1,2, Пилат Я.П.2, Савчин В.П.2, Исламов А.Х.1
1Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Московская обл., Россия
2Львовский государственный университет им. И.Я. Франко, Львов, Украина
Поступила в редакцию: 23 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 20 января 1998 г.

С помощью метода малоуглового рассеяния нейтронов исследован слоистый полупроводник In4Se3. Обнаружено присутствие в образцах неоднородностей коллоидного размера, что объясняется выпадением индия. Отжиг приводит к уменьшению концентрации неоднородностей. Моделирование системы ансамблем первичных неоднородностей сферической формы показало, что в одном кластере прямоугольной сверхрешетки (2--2--6) находятся 24 первичных неоднородности радиуса 13.5±1.5 Angstrem и расстояние между ними составляет 70.9±1.5 Angstrem.
  • U. Schwarz, H. Hillebrecht. Z. Krist. 210, 5, 342 (1995)
  • О.И. Бодак, Ю.М. Орищин, В.П. Савчин, Й.М. Стахира. Кристаллография 25, 3, 628 (1980)
  • И.М. Стахира, П.Г. Ксьондзик. УФЖ 26, 5, 762 (1981)
  • Д.М. Берча, О.Б. Митин, Л.Ю. Хархалис, А.И. Берча. ФТТ 37, 11, 3233 (1995)
  • В.Я. Курячий, Г.Ю. Богачев, В.П. Михальченко, И.М. Стахира. Деп. в УкрНИИНТИ 15.08.84, рег. N 14.14к-84. Черновцы (1984). 11 с
  • Я.С. Уманский, Ю.А. Скаков, А.Н. Иванов. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. Наука, М. (1982). 631 с
  • Д.И. Свергун, Л.А. Фейгин. Рентгеновское и нейтронное малоугловое рассеяние. М. (1986). 260 с
  • Yu.M. Ostanevich. Makromol. Chem. Macromol Symp. 15, 91 (1988)
  • Ю.А. Рольбин, Р.Л. Каюшина, Л.А. Фейгин, Б.М. Щедрин. Кристаллография 18, 701 (1973)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.