Вышедшие номера
Энтропия кристаллизации материалов из "расплавленной" подрешетки суперионных проводников
Коржуев М.А.1
1Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 17 марта 1997 г.
Выставление онлайн: 20 января 1998 г.

Показано, что энтропия кристаллизации материалов (Cu, Ag, Au, Li и др.) по схеме "расплавленная" подрешетка суперионных проводников (СИП) -> кристалл может существенно превышать энтропию кристаллизации соответствующих веществ из расплава. Обнаруженная закономерность объясняет известную склонность ряда СИП к образованию нитевидных кристаллов (вискерсов) в твердой фазе, равно как и совершенную структуру последних.