Получены первые спектры неупругого рассеяния света оптическими фононами в монокристаллах p-CdGeAs₂. Обнаруженная четкая поляризационная зависимость, а также отсутствие заметной зависимости интенсивности и частоты обнаруженных линий при сканировании по образцу с шагом ~ 300 mum свидетельствуют о кристаллическом совершенстве и однородности монокристаллов CdGeAs₂, выращенных методом направленной кристаллизации из близкого к стехиометрии расплава. Дана интерпретация типа симметрии наблюдавшихся фононных линий и показано, что силовые постоянные в кристаллах CdGeAs₂ и CdSnP₂ имеют небольшое различие. Исследованы температурные зависимости удельной электропроводности и постоянной Холла на однородных ориентированных монокристаллах p-CdGeAs₂. Установлено, что проводимость таких кристаллов определяется глубоким акцепторным уровнем E_A=0.175 eV и характеризуется степенью компенсации 0.5-0.6. Температурная зависимость холловской подвижности отражает конкуренцию примесного и решеточного механизмов рассеяния дырок. Фоточувствительность поверхностно-барьерных структур In/CdGeAs₂ достигает 20 muA/W при T=300 K и сохраняется на этом уровне в глубине фундаментального поглощения CdGeAs₂. Сделан вывод о возможности использования полученных структур в качестве широкополосных фотопреобразователей естественного света и селективных для линейно поляризованного излучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.