Издателям
Вышедшие номера
Оптоэлектронные явления в монокристаллах p-CdGeAs2 и структурах на их основе
Байрамов Б.Х.1, Полушина И.К.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.1, Schunemann P.G.3, Ohmer M.C.4, Fernelius N.C.4, Irmer G.5, Monecke J.5
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Lockheed Sanders Inc., Nashua, NH, USA
4AFWL, Wright Lab., Wright Patterson AFB, OH, USA
5Bergakademie Freiberg, Institut fur Theoretische Physik,, Freiberg, Germany
Поступила в редакцию: 8 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 января 1998 г.

Получены первые спектры неупругого рассеяния света оптическими фононами в монокристаллах p-CdGeAs2. Обнаруженная четкая поляризационная зависимость, а также отсутствие заметной зависимости интенсивности и частоты обнаруженных линий при сканировании по образцу с шагом ~ 300 mum свидетельствуют о кристаллическом совершенстве и однородности монокристаллов CdGeAs2, выращенных методом направленной кристаллизации из близкого к стехиометрии расплава. Дана интерпретация типа симметрии наблюдавшихся фононных линий и показано, что силовые постоянные в кристаллах CdGeAs2 и CdSnP2 имеют небольшое различие. Исследованы температурные зависимости удельной электропроводности и постоянной Холла на однородных ориентированных монокристаллах p-CdGeAs2. Установлено, что проводимость таких кристаллов определяется глубоким акцепторным уровнем EA=0.175 eV и характеризуется степенью компенсации 0.5-0.6. Температурная зависимость холловской подвижности отражает конкуренцию примесного и решеточного механизмов рассеяния дырок. Фоточувствительность поверхностно-барьерных структур In/CdGeAs2 достигает 20 muA/W при T=300 K и сохраняется на этом уровне в глубине фундаментального поглощения CdGeAs2. Сделан вывод о возможности использования полученных структур в качестве широкополосных фотопреобразователей естественного света и селективных для линейно поляризованного излучения.
  • В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь. ФТП 12, 2, 209 (1978)
  • Н.А. Горюнова, Ф.П. Кесаманлы, Э.О. Османов, Ю.В. Рудь. Изв. АН СССР. Сер. неорг. матер. 1, 6, 885 (1965)
  • Р.Ф. Мехтиев, Э.О. Османов, Ю.В. Рудь. ПТЭ, 2, 179 (1964)
  • Ю.В. Рудь. Автореф. канд. дис. ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Л. (1965)
  • Н.А. Горюнова, А.А. Гринберг, С.М. Рывкин, И.М. Фишман, Г.П. Шпеньков, И.Д. Ярошецкий. ФТП 2, 8, 1525 (1968)
  • J.L. Shay, J.H. Wernick. Ternary Chalcopyrite Semiconductors. Growth, Electronic Properties, and Applications. Pergamon Press, Oxford (1975). 244 p
  • P.G. Schunemann, T.M. Pollak. Abstracts of 1996 ICEM Fall Meeting MRS (Dec. 2--6 1996). Boston (1996). P. 371
  • G. Irmer, A. Heinrich, J. Monecke. Phys. Stat. Sol. (b) 132, 93 (1985)
  • I.P. Kaminov, E. Buehler, J.H. Wernick. Phys. Rev. B2, 960 (1970)
  • P.N. Keating. Phys. Rev. B145, 637 (1966)
  • В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП 24, 12, 2181 (1990)
  • V.Yu. Rud', Yu.V. Rud'. Jap. J. Appl. Phys. 32, 672 (1993)
  • Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках. Мир, М. (1964)
  • А.С. Борщевский, Н.Е. Дагина, А.А. Лебедев, К. Овезов, И.К. Полушина, Ю.В. Рудь. ФТП 10, 10, 1905 (1976)
  • Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП 30, 6, 1001 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.