Вышедшие номера
Фазовый переход и диэлектрические свойства в кристаллах Li2-xNaxGe4O9 (0.2=< x=<0.3)
Волнянский Д.М.1, Кудзин А.Ю.2, Волнянский М.Д.2
1Днепропетровский национальный университет железнодорожного транспорта, Днепропетровск, Украина
2Днепропетровский национальный университет, Днепропетровск, Украина
Email: mdvoln@ff.dsu.dp.ua
Поступила в редакцию: 27 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.

Диэлектрическая нелинейность сегнетоэлектрических кристаллов Li2-xNaxGe4O9 (0.2=< x=<0.3) измерена в области температур фазового перехода. Исследованы зависимости varepsilon(T) для различных значений приложенного поля E= и зависимости varepsilon(E=)T при фиксированной температуре в кристаллах Li2-xNaxGe4O9 с Tc>300 K и Tc<300 K. Показано, что диэлектрические свойства кристаллов с Tc<300 K можно описать в рамках теории Ландау для фазовых переходов второго рода, а поведение кристаллов с Tc>300 K не описывается этой теорией. Полученные результаты ведут к заключению о том, что изменение свойств кристаллов с Tc>300 K, возможно, связано с изменением структуры исследуемых кристаллов, вызванном изменением соотношения атомов Li и Na. PACS: 77.84.Bw, 77.80.Bh, 77.22.Ch
  1. H. Vollenkle, H. Nowotny. Monats Chem. 100, 79 (1969)
  2. Р.Г. Матвеева, В.В. Илюхин, Н.В. Белов. ДАН СССР 213, 3, 584 (1973)
  3. H. Vollenkle, A. Wittmann, H. Nowotny. Monats Chem. 101, 56 (1970)
  4. M. Wada, M. Shibata, A. Sawada, Y. Ishibashi. J. Phys. Soc. Jpn. 52, 9, 2981 (1983)
  5. М.Д. Волнянский, А.Ю. Кудзин. ФТТ 33, 10, 3160 (1991)
  6. M. Wada, Y. Yamashita, A. Sawada, Y. Ishibashi. J. Phys. Soc. Jpn. 62, 12, 4503 (1993)
  7. Y. Iwata, N. Koyano, M. Machida, M. Wada, A. Sawada. J. Korean Phys. Soc. 32, S195 (1998)
  8. K. Morikawa, T. Atake, M. Wada, T. Yamaguchi. J. Phys. Soc. Jpn. 67, 6, 1994 (1998)
  9. S. Kamba, E. Buixaderas, I. Gregoba, J. Petzelt, T. Yamaguchi, M. Wada. J. Korean Phys. Soc. 32, S500 (1998)
  10. E. Buixaderas, S. Kamba, I. Gregoba, P. Vanek, J. Petzelt, T. Yamaguchi, M. Wada. Phys. Stat. Sol. 214, 441 (1999)
  11. М.Д. Волнянский, А.Ю. Кудзин. ФТТ 33, 6, 1903 (1991)
  12. М.Д. Волнянский, А.Ю. Кудзин, В.Ф. Катков. ФТТ 34, 1, 309 (1992)
  13. М.Д. Волнянский, А.Ю. Кудзин, Д.М. Волнянский. ФТТ 36, 9, 2785 (1994)
  14. Г.А. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, Н.Н. Крайник, Р.Е. Пасынков, М.С. Шур. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Наука, Л. (1971). 976 с
  15. T. Yamaguchi, T. Tomita, N. Ikarashi. J. Korean Phys. Soc. 29, S709 (1996)
  16. А.Ю. Кудзин, Д.М. Волнянский. ФТТ 41, 6, 1070 (1999)
  17. М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Мир, М. (1981). 736 с
  18. R. Cach, I. Cebula, M.D. Volnyanskii. Mater. Sci. Eng. B 90, 1, 72 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.