Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Об электростатических моделях фазового перехода диэлектрик--металл в кристаллических полупроводниках с водородоподобными примесями

Поклонский Н.А.¹, Сягло А.И.¹

¹Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь Belarusian State University, Minsk, Republic of Belarus

Поступила в редакцию: 5 августа 1997 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

При учете экранирования ионов прыгающими по примесям электронам уточнены две известные модели расчета критической концентрации N_C перехода диэлектрик-металл для температуры T->0 K в зависимости от боровского радиуса a_H изолированной примеси. В одной модели переход при N_C1 объясняется появлением делокализованных электронов при выталкивании примесной зоны в зону разрешенных энергий за счет уменьшения энергии сродства ионизированных примесей к электрону (дырке). В другой - неограниченным возрастанием статической диэлектрической проницаемости кристалла при увеличении концентрации атомов примеси до N_C2. Полученные аппроксимации N^1/3_C1a_H~0.24 и N^1/3_C2a_H~0.20 для степени компенсации K=0.01 описывают известные экспериментальные данные при 1<a_H<10 nm.

P.F. Newman, D.F. Holcomb. Phys. Rev. B28, 2, 638 (1983)
P. Dai, Y. Zhang, M.P. Sarachik. Phys. Rev. B49, 19, 14039 (1994)
A.P. Long, M. Pepper. J. Phys. C17, 17, L425 (1984)
P. Dai, S. Bogdanovich, Y. Zhang, M.P. Sarachik. Phys. Rev. B52, 16, 12 434 (1995)
P.P. Edwards, M.J. Sienko. Phys. Rev. B17, 6, 2575 (1978)
S.B. Field, T.F. Rosenbaum. Phys. Rev. Lett. 55, 5, 522 (1985)
А.Г. Забродский. А.Г. Андреев, М.В. Алексеенко. ФТП 26, 3, 431 (1992)
K.M. Itoh, E.E. Haller, L.A. Reichertz, E. Kreysa, T. Shutt, A. Commings, W. Stockwell, B. Sadoulet, J. Muto, J.W. Farmer, V.I. Ozhogin. Abstract Booklet Int. Conf. on Electron Localization and Quantum Transport in Solids (August 3--6, 1996). Inst. Phys. Pol. Acad. Sci. Ustron. Jaszowiec. Poland (1996). P. 15
Т.И. Воронина, А.Н. Дахно, О.В. Емельяненко, Т.С. Лагунова, С.П. Старосельцева. ФТП 22, 7, 1230 (1988)
R.N. Bhatt. Physica B146, 1--2, 99 (1987)
T.G. Castner. Phil. Mag. B42, 6, 873 (1980)
T.G. Castner, N.K. Lee, H.S. Tan, L. Moberly, O. Symko. J. Low Temp. Phys. 38, 3--4, 447 (1980)
А.А. Ликальтер. ЖЭТФ 107, 6, 1996 (1995)
В.М. Михеев. ФТТ 36, 4, 994 (1994)
Д.Н. Бычковский, О.В. Константинов, Б.В. Царенков. ФТП 29, 1, 152 (1995)
А.Г. Забродский. ФТП 14, 8, 1492 (1980)
М.И. Даунов, И.К. Камилов, В.А. Елизаров. ФТТ 37, 8, 2276 (1995)
S. Dhar, A.H. Marshak. Sol. Stat. Electron. 28, 8, 763 (1985)
J. Jackle. Phil. Mag. B46, 4, 313 (1982)
Н.А. Поклонский, А.И. Сягло, Ф.Н. Боровик. ФТП 30, 10, 1767 (1996)
H.D. Barder, K.S. Lee, J.E. Jones. Sol. Stat. Electron. 19, 5, 365 (1976)
E.O. Kane. Sol. Stat. Electron. 28, 1, 3 (1985)
Н.А. Поклонский, А.И. Сягло. ЖПС 64, 3, 363 (1997)
Дж. Займан. Модели беспорядка. Мир, М. (1982). С. 574
А.Г. Андреев, В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, А.Г. Забродский, Е.А. Петрова. ФТП 29, 12, 2218 (1995)
Л.В. Говор, В.П. Добрего, Н.А. Поклонский. ФТП 18, 11, 2075 (1984)
Н.А. Поклонский. Изв. вузов. Физика 27, 11, 41 (1984)
М. Динейхан, Г.В. Ефимов. ФЭЧАЯ 26, 3, 651 (1995)
Н.Ф. Мотт. Переходы металл--изолятор. Наука, М. (1979). 544 с
Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Статистическая физика. Наука, М. (1976). С. 67
В.Г. Гинзбург, Е.Г. Максимов. СФХТ 5, 9, 1543 (1992)
И.Е. Тамм. Основы теории электричества. Наука, М. (1989). С. 100
G.M. Castellan, F. Seitz. Semiconducting Materials. Proc. Conf. Butterworths, London (1951)
Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика. Наука, М. (1989). С. 343
Semiconductors: group IV elements and III--V compounds / Ed. O. Madelung. Springer-Verlag, Berlin--Heidelberg (1991). 164 p
Т.М. Лифшиц. ПТЭ, 1, 10 (1993)
А.Г. Забродский, М.В. Алексеенко, А.Г. Андреев. 25-е Всесоюзн. совещ. по физике низких температур. ФТИ, Л. (1988). Ч. 3. C. 60
H. Fritzsche. Phil. Mag. B42, 6, 835 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель