Влияние одноосного сжатия при 80 K на радиационное дефектообразование в кристаллах KC l, KBr и KI
Бекешев А.З.1, Васильченко Е.А.2, Сармуханов Е.Т.1, Сагимбаева Ш.Ж.1, Тулепбергенов С.К.1, Шункеев К.Ш.1, Эланго А.А.2
1Актюбинский государственный университет, Актюбинск, Казахстан
2Институт физики Эстонии, ЕЕ Тарту, Эстония
Поступила в редакцию: 27 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.
Методом абсорбционной спектроскопии исследовано влияние одноосного сжатия при 80 K на эффективность создания устойчивых радиационных дефектов в кристаллах KCl, KBr и KI. Обнаружено, что приложение сжатия по <100> направлениям не изменяет эффективности радиационного дефектообразования в кристаллах KCl и KBr, тогда как в KI эта величина уменьшается более чем на порядок. На базе проведенного полуколичественного анализа сделан вывод, что причиной наблюдаемого различия является то, что в KI малейшее сжатие междоузельных пустот делает невозможным размещение H-центров в них, а в KCl и KBr для достижения аналогичного эффекта необходимо сжатие в несколько десятков процентов.
- А.Т. Акилбеков, Е.А. Васильченко, Е.Т. Сармуханов, К.Ш. Шункеев, А.А. Эланго. ФТТ 33, 3, 868 (1991).
- A. Lushchik, Ch. Lushchik, N. Lushchik, A. Frorip, O. Nikiforova. Phys. Stat. Sol. (b) 168, 1, 413 (1991)
- E. Vasilchenko, E. Sarmukhanov, K. Shunkeev, A. Elango. Phys. Stat. Sol. (b) 174, 1, 155 (1992).
- А.З. Бекешев, Е.А. Васильченко, Е.Т. Сармуханов, К.Ш. Шункеев, А.А. Эланго. ФТТ 36, 2, 330 (1994)
- К.Ш. Шункеев, Е.А. Васильченко, А.А. Эланго. ЖПС 62, 3, 156 (1995)
- А.З. Бекешев, Е.А. Васильченко, К.Ш. Шункеев, А.А. Эланго. ФТТ 39, 1, 87 (1997)
- Р.И. Гиндина, А.А. Маароос, Л.А. Плоом, Н.А. Яансон. Тр. ИФ АН ЭССР 49, 45 (1979)
- О.В. Клявин, С.Г. Симашко, В.Д. Ярошевич. ФТТ 13, 12, 3508 (1971)
- T. Susuki, H. Koizumi. Phys. Chem. Sol. Int. Symposium on Lat. Def. Related Properties of Diel. Mater. (1985). P. 117
- А.А. Каплянский. Опт. и спектр. 16, 602 (1964)
- А. Бекешев, Е. Васильченко, К. Шункеев, А. Эланго. ФТТ 38, 8, 2394 (1996)
- С.М. Рябых, Л.Т. Бугаенко. Изв. АН Латв. ССР. Сер. физ. и техн. наук 2, 77 (1990)
- Б.К. Вайнштейн, В.М. Фридкин, В.Л. Инденбом. Современная кристаллография. Наука, М. (1979). Т. 2. 359 с
- J.D. Konitzer, H.N. Hersh. J. Phys. Chem. Sol. 27, 771 (1966)
- M. Ikezawa, K. Shirahata, T. Kojima. The Science Reports of the Tohoku Univer. 1, L11, 45 (1969)
- R.T. Williams. Semicond. Insulat. 3, 251 (1978)
- Ч.Б. Лущик, А.Ч. Лущик. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах. Наука, М. (1989). 263 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук