Вышедшие номера
Усиление магниторефрактивного эффекта в магнитофотонных кристаллах
Борискина Ю.В.1, Ерохин С.Г.1, Грановский А.Б.1, Виноградов А.П.2, Inoue M.3
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Институт теоретической и прикладной электродинамики, Объединенный институт высоких температур Российской академии наук, Москва, Россия
3Toyohashi University of Technology, Toyohashi 44, Japan
Email: j_boriskina@mail.ru
Поступила в редакцию: 10 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.

В рамках компьютерного эксперимента рассмотрен магниторефрактивный эффект в одномерном магнитофонном кристалле, точнее, в фотонном кристалле (ФК) (SiO2/Ta2O5), содержащем встроенный дефект в виде тонкого слоя магнитного нанокомпозита Co-(Al-O). Найдено строение элементарной ячейки ФК, при котором основная энергия поля сосредоточена в ближайших к дефекту ячейках ФК, что позволяет повысить добротность дефект-моды и за счет многократного прохождения света по дефекту увеличить магниторефрактивный эффект более чем на порядок по сравнению с тонкой пленкой на подложке и на два порядка по сравнению с толстыми пленками. При этом коэффициент отражения таких структур при приложении магнитного поля может достигать 60%. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 03-02-16127 и 04-02-16830), гранта Ведущие научные школы НШ. 1694.2003.02, программы "Университеты России" и Фонда некоммерческих программ "Династия" и МЦФФМ. PACS: 42.70.-a, 78.20.Ls