Вышедшие номера
Электронный парамагнитный резонанс акцепторов глубокого бора в кристаллах 4H-SiC и 3C-SiC
Баранов П.Г.1, Ильин И.В.1, Мохов Е.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.

Обнаружены и исследованы спектры ЭПР глубокого бора в кристаллах 4H-SiC и 3C-SiC. В кристаллах 4H-SiC наблюдались сигналы ЭПР глубокого бора для двух позиций: квазикубической k и гексагональной h. В обоих случаях симметрия центров глубокого бора близка к аксиальной вдоль c-оси кристалла и анизотропия g-фактора примерно на порядок больше по сравнению с мелким бором. В кристалле 3C-SiC симметрия центров глубокого бора также близка к аксиальной с осью вдоль одного из четырех направлений < 111>. В качестве модели глубокого бора с акцепторными свойствами предложена структура BSi-v C, где Bsi - бор, замещающий кремний, v C - вакансия углерода, при этом в кристалле 4H-SiC направление BSi-v C совпадает с гексагональной осью кристалла как для k, так и для h позиций. В кубическом кристалле 3C-SiC имеются четыре эквивалентных центра глубокого бора, представляющих собой пары BSi-v C с направлением связи вдоль одной из четырех осей < 111> кристалла.
  1. G. Pensl, R. Helbig. Festkoerperprobleme: Advances in Solid State Physics / Ed. U. Roessler. Vieweg, Braunschweig (1990)
  2. М.М. Аникин, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов. ФТП 19, 69 (1985)
  3. W. Suttrop, G. Pensl, P. Laning. Appl. Phys. A51, 231 (1990)
  4. В.С. Балландович, Е.Н. Мохов. ФТП 29, 370 (1995)
  5. P.G. Baranov, E.N. Mokhov. Semicond. Sci. Technol. 11, 489 (1996); П.Г. Баранов, Е.Н. Мохов. ФТТ 38, 5, 1446 (1996)
  6. P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Solid State Commun. 100, 371 (1996)
  7. P.G. Baranov. Defect and Diffusion Forum 148--149, 129 (1997)
  8. Н.Г. Романов, В.А. Ветров, П.Г. Баранов, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг. Письма в ЖТФ 11, 483 (1985)
  9. P.G. Baranov, N.G. Romanov, V.A. Vetrov, V.G. Oding. Proc. 20th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors / Ed. E.M. Anastassakis and J.D. Joannopoulos. World Scientific. Singapore (1990). V. 30. P. 1855
  10. P.G. Baranov, N.G. Romanov. Appl. Mag. Res. 2, 361 (1991); P.G. Baranov, N.G. Romanov. Mat. Sci. Forum 83--87, 1207 (1992).
  11. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.D. Roenkov. Krist. Techn. 14, 729 (1979)
  12. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov. Diffusion and Solubility of Impurities in Silicon Carbide: Silicon Carbide-1973. South Carolina Univ. Press. (1974). P. 508--519

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.