Издателям
Вышедшие номера
Резонансы выхода атомов цезия при электронно-стимулированной десорбции с вольфрама, покрытого монослоем германия
Агеев В.Н.1, Кузнецов Ю.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: kuznets@ms.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 12 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

Измерены выход и энергораспределения атомов Cs из слоев цезия, адсорбированных на вольфраме, покрытом тонкой пленкой германия (толщиной 1--2 монослоя), в зависимости от энергии бомбардирующих электронов, количества адсорбированного цезия и температуры подложки. Измерения выполнены времяпролетным методом с помощью детектора на основе поверхностной ионизации. В области малых покрытий цезия Theta<0.1 порог появления выхода атомов Cs при температуре подложки T=160 K составляет ~24 eV, что коррелирует с энергией ионизации уровня Cs 5s. С ростом энергии электронов выход проходит через широкое плато и достигает насышения. Интенсивность сигнала в области плато постепенно уменьшается с ростом покрытия цезия и при Theta>0.14 стремится к нулю. При Theta>=q 0.15 порог появления выхода атомов Cs смещается к ~30 eV, что соответствует энергии ионизации уровня Ge 3d, а плато заменяется резонансным пиком с максимумом при ~38 eV, который соответствует энергии ионизации уровня W 5p3/2. Этот пик наблюдается только при Theta<0.3 и T=160 K. При Theta>=q0.3 появляется резонансный пик при ~ 50 eV, а при Theta>=q 0.5 --- резонансный пик при ~ 80 eV. Положение этих пиков коррелирует с энергиями ионизации уровней W 5p1/2 и W 5s, а их интенсивность максимальна при Theta=1. Энергораспределения атомов Cs при Theta<0.15 состоят из колоколообразного пика с максимумом при ~0.55 eV, а энергораспределения при Theta>=q0.15 содержат два почти разрешенных пика: широкий с максимумом при ~0.5 eV и узкий с максимумом при ~0.35 eV. Полученные результаты свидетельствуют, что существуют три канала десорбции атомов Cs. Один канал связан с реверсивным движением иона Cs+2, другой --- с нейтрализацией адсорбированного иона Cs+ после Оже-распада вакансии в атоме Ge, третий --- с десорбцией молекулы CsGe в результате ее отталкивания от остовного экситона W. Авторы признательны Российскому фонду фундаментальных исследований за частичную поддержку работы (грант N 03-02-17523). PACS: 68.43.Rs, 68.47.De, 79.20.La
  1. V.N. Ageev. Progr. Surf. Sci. 47, 55 (1994)
  2. T.E. Madey. Surf. Sci. 299/300, 824 (1994)
  3. R.D. Ramsier, J.T. Yates. Surf. Sci. Rep. 12, 247 (1991)
  4. В.Н. Агеев, Ю.А. Кузнецов. ФТТ 39, 4, 758 (1997)
  5. V.N. Ageev, Yu.A. Kuznetsov. Phys. Low-Dim. Structr. 1/2, 113 (1999)
  6. В.Н. Агеев, Ю.А. Кузнецов. ФТТ 42, 4, 759 (2000)
  7. V.N. Ageev, Yu.A. Kuznetsov, T.E. Madey. J. Vac. Sci. Technol. A 19, 1489 (2001)
  8. V.N. Ageev, Yu.A. Kuznetsov, T.E. Madey. Surf. Sci. 528, 47 (2003)
  9. В.Н. Агеев, Ю.А. Кузнецов, Н.Д. Потехина. ФТТ 47, 9, 173 (2005)
  10. В.Н. Агеев, О.П. Бурмистрова, Ю.А. Кузнецов. ФТТ 29, 6, 1740 (1987)
  11. Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Под ред. Ю. Бриггса, М.П. Сиха. Мир, М. (1987). С. 567
  12. K. Okuno, J. Horio. Jap. J. Appl. Phys. 43, 7A, 4316 (2004)
  13. R.E. Weber, W.T. Peria. Surf. Sci. 14, 13 (1969)
  14. L. Surnev, M. Tichov. Surf. Sci. 85, 413 (1979)
  15. D.S. Lin, T. Miller, T.C. Chiang. Phys. Rev. B 44, 19, 10 719 (1991)
  16. R. Souda, W. Hayami, Y. Ishizawa. Phys. Rev. B 48, 23, 17 255 (1993)
  17. G. Faraci, A.R. Pennisi. Surf. Sci. 409, 46 (1998)
  18. М. Хансен, К. Андерко. Структура двойных сплавов. Металлургия, М. (1962). С. 816
  19. A. Mikami. Jap. J. Appl. Phys. 43, 5A, 2745 (2004)
  20. Д. Вудраф, Т. Делчар. Современные методы исследования поверхности. Мир, М. (1989). С. 182
  21. A.G. Borisov, J.P. Gauyacq. Surf. Sci. 445, 430 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.