Приведены результаты экспериментального исследования диэлектрических свойств кристаллов (NH₄)₂BeF₄ с выраженной дефектной структурой в области фазового перехода соразмерная-несоразмерная фаза. Было обнаружено нерегулярное распределение дефектов, формирующих внутреннее смещающее поле в кристалле. Подтверждено, что замороженные дефекты не влияют на величину гистерезиса зависимостей varepsilon(T) при охлаждении и нагревании, однако оказывают определяющее влияние на формирование одинарных, тройных и четверных петель гистерезиса в зависимости P(E). Предложен возможный механизм расщепления фазового перехода при охлаждении кристалла в постоянном электрическом поле.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.