Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Термоэлектрические свойства облученных ионами водорода кристаллов кремния при сверхвысоком давлении до 20 GPa

Овсянников С.В.¹, Щенников В.В.¹, Антонова И.В.², Щенников Вс.В.³, Шамин С.Н.¹

¹Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия M.N. Mikheev Institute of Metal Physics, Ural Branch, Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia

M.N. Mikheev Institute of Metal Physics, Ural Branch, Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia

²Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

³Институт машиноведения УрО РАН, Екатеринбург, Россия Institute of Engineering Science, Ural Branch, Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia

Institute of Engineering Science, Ural Branch, Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia

Email: vladimir.v@imp.uran.ru

Поступила в редакцию: 29 марта 2005 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены исследования величины термоэдс S при высоком давлении P до 20 GPa для образцов p-Si, содержащих тонкий гидрогенизированный слой. В области фазового перехода в решетку со структурой белого олова (P=<10 GPa) обнаружено снижение значений S у образцов с гидрогенизированным слоем по сравнению с исходными образцами p-Si. В то же время значения S у металлических фаз высокого давления со структурой beta-Sn, орторомбической (выше 12 GPa) и простой гексагональной (выше 16 GPa), примерно одинаковы для разных групп образцов. Изменение кристаллической структуры после обработки давлением исследовано с помощью ультрамягкой рентгеновской спектроскопии. Наблюдаемое снижение величины S после обработки давлением предположительно связано с образованием аморфной фазы наряду с метастабильной фазой Si-III. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 04-02-16178) и INTAS (N 03-55-629). PACS: 61.10.Eq, 64.70.Kb, 72.20.Pa

S.K. Deb, M. Wilding, M. Somayazulu, P.F. Mc Millan. Nature 414, 528 (2001)
F. Yang, P. Fei. Semicond. Sci. Technol. 19, 1165 (2004)
S.E. Grillo, M. Ducarroir, M. Nadal, E. Tournie, J.P. Faurie. J. Phys. D: Appl. Phys. 36, L5 (2003)
В.Р. Галахов, И.В. Антонова, С.Н. Шамин, В.И. Аксенова, В.И. Ободников, А.К. Гутаковский, В.П. Попов. ФТП 36, 598 (2002)
О.В. Наумова, И.В. Антонова, В.П. Попов, В.Ф. Стась. ФТП 37, 93 (2003)
И.М. Цидильковский, В.В. Щенников, Н.Г. Глузман. ФТП 16, 958 (1983)
С.В. Овсянников, В.В. Щенников. Письма в ЖЭТФ 80, 41 (2004)
С.В. Овсянников, В.В. Щенников, А. Мисюк. Письма в ЖЭТФ 80, 459 (2004)
С.В. Овсянников, В.В. Щенников, Б.Н. Гощицкий. Письма в ЖЭТФ 81, 203 (2005)
R. Meaudre, M. Meaudre, R. Butte, S. Vignoli. Thin Solid Film 366, 207 (2000)
R.G. Mathur, R.M. Mehra, P.C. Mathur. J. Appl. Phys. 83, 5855 (1998)
O. Yamashita. J. Appl. Phys. 95, 178 (2004)
L.G. Khvostantsev, L.F. Vereshchagin, N.M. Uliyanitskaya. High Temp.-High. Pres. 5, 261 (1973)
D.A. Polvani, J.E. Meng, M. Hasegawa et al. Rev. Sci. Instrum. 70, 3586 (1999)
R.D. Barnard. Thermoelectricity in metals and alloys. Taylor and Francis, London (1972)
F.J. Blatt, P.A. Schroeder, C.L. Foiles, D. Greig. Thermoelectric power of metals. Plenum, N. Y.--London (1976)
V.V. Shchennikov, S.V. Gudina, A. Misiuk, S.N. Shamin. Physica B 340-342, 1026 (2004)
V.V. Shchennikov, S.V. Gudina, A. Misiuk, S.N. Shamin, S.V. Ovsyannikov. Europ. Phys. J.: Appl. Phys. 27, 145 (2004)
A. Mujica, A. Rubio, A. Munoz, R.J. Needs. Rev. Mod. Phys. 75, 863 (2003)
J.M. Besson, E.H. Mokhtari, J. Gonzales, G. Well. Phys. Rev. Lett. 59, 473 (1987)
G. Weill, J.L. Mansot, G. Sagon, C. Carlone, J.M. Besson. Semicond. Sci. Tech. 4, 280 (1989)
В.В. Соболев, В.В. Немошкаленко. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Киев, Наук. думка (1988). С. 424
V.V. Shchennikov, S.V. Ovsyannikov, G.V. Vorontsov, V.V. Shchennikov, jr. Phys. Stat. Sol. (b) 241, 3203 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель