Вышедшие номера
Электронная структура и адсорбционные свойства системы Cs/O/W(110)
Андронов А.Н.1, Бенеманская Г.В.2, Дайнека Д.В.1, Франк-Каменецкая Г.Э.2
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 марта 1997 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1997 г.
Проведены сравнительные исследования адсорбционных систем Cs/O/W(110) и Cs/W(110). Методом пороговой фотоэмиссионной спектроскопии исследованы работа выхода и электронная структура в энергетической области вблизи уровня Ферми в зависимости от степени субмонослойного цезиевого покрытия. Обнаружено значительное увеличение насыщающего цезиевого покрытия на поверхности O/W(110). В электронном спектре системы Cs/O/W(110) обнаружена новая индуцированная адсорбцией поверхностная зона с энергией связи ~0.7 eV. При покрытиях около монослоя наблюдалась металлизация адсорбированного слоя. Показано, что электронная структура систем Cs/O/W(110) и Cs/W(110) аналогична при малых покрытиях. Различие в процессах адсорбции для этих двух систем проявляется при покрытиях, близких к монослою, что объясняется возникновением новых центров взаимодействия адатомов Cs на поверхности W(110) в присутствии кислорода.
  1. H.P. Bonzel, A.M. Bradshaw, G. Ertl. Physics and Chemistry of Alkali Metal Adsorption. Elsevier, Amsterdam (1989)
  2. H. Bludau, H. Over, T. Hertel, G. Ertl. Surf. Sci. 342, 134 (1995)
  3. J.M. Chen, C.A. Papageorgopoulos. Solid State Commun. 11, 999 (1972)
  4. У.В. Азизов, Т.А. Карабаев, Т.И. Михайлова, Х.М. Саттаров. Изв. АН СССР. Сер. физ. 40, 8, 1728 (1976)
  5. C.A. Papageorgopoulos, J.M. Chen. Surf. Sci. 52, 53 (1975)
  6. Б.М. Зыков, В.К. Цхая. ЖТФ. 49, 1700 (1979)
  7. B.E. Evans, L.W. Swanson, A.E. Bell. Surf. Sci. 11. 1 (1968)
  8. T. Kiroda, H. Yagi, S. Nakamura. Mem. Inst. Sci. Ind. Res. (Osaka Univ.) 26, 1, 87 (1969)
  9. И.М. Бронштейн, И.И. Хинич, В.И. Гольдреер. XXIX Герцен. чтения ЛГПИ (1976). С. 4
  10. G. Treglia, M.C. Desjonqueres, D. Spanjaard, Y. Lassailly, C. Guillot, Y. Jugnev, Tran Minh Duc, J. Lecaante. J. Phys. C14, 3463 (1981)
  11. Г.В. Бенеманская, М.Н. Лапушкин, М.И. Урбах. ЖЭТФ 102, 1664 (1992)
  12. G.V. Benemanskaya, M.N. Lapushkin, M.I. Urbakh. Phys. Low-Dim. Struct. 4/5, 13 (1994)
  13. A. Liebsch, G.V. Benemanskaya, M.N. Lapushkin. Surf. Sci. 302, 303 (1994)
  14. J. Anderson, W.E. Danforth. J. Franklin Instr. 279, 160 (1965)
  15. J.A. Becker, E.J. Becker, R.L. Brandes. J. Appl. Phys. 32, 411 (1962)
  16. A.I. Babanin, A.A. Lavrent'ev. Wide Baud Gap Electronic Materials / Ed. M.Prelas (1995). P. 437
  17. A.G. Fedorus, A.G. Naumovets. Surf. Sci. 21, 426 (1975)
  18. M. Blaszczyszyn. Surf. Sci. 59, 533 (1976)
  19. P. Soukiassian, R. Riwan, J. Lecante. Phys. Rev. B31, 4911 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.