Издателям
Вышедшие номера
Влияние давления на концентрацию квазидвумерных носителей в системе GaSb/InAs/GaSb с квантовыми ямами
Вороновский А.Н.1, Дижур Е.М.1, Ицкевич Е.С.1, Каширская Л.М.1, Стрэдлинг Р.А.2
1Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина РАН, Троицк, Москва, Россия
2Imperial College, London SW7 2BZ, UK
Поступила в редакцию: 17 октября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.

Проведены измерения магнетосопротивления и ЭДС Холла в полях до 7 Т при 4.2 K под давлением до 2.5 GPa для систем с квантовыми ямами GaSb/InAs/GaSb различной ширины и с разным типом интерфейса. Из анализа осцилляций Шубникова--де Гааза (ШдГ) и зависимости компонент тензора магнетосопротивления в рамках классической модели с двумя типами носителей определена барическая зависимость концентраций электронов и дырок. Показано, что под давлением происходит переход от полуметаллического к полупроводниковому режиму проводимости.
  • M.W. Wang, D.A. Collins, T.C. McGill. J. Vac. Sci. Technol. B11, 4, 1418 (1993)
  • J.R. Waterman, B.V. Shanabrook, R.J. Wagner, M.J. Yang, J.L. Davis, J.P. Omaggio. Semicond. Sci. Technol. 8, S106 (1993)
  • C. Nguyen, B. Brar, H. Kroemer, J.H. English. Appl. Phys. Lett. 60, 11, 1854 (1992)
  • C. Nguyen, B. Brar, H. Kroemer, J.H. English. J. Vac. Sci. Techn. B10, 2, 898 (1992)
  • J. Beerens, G. Gregoris, J.C. Portal, E.E. Mendez, L.L. Chang, L. Esaki. Phys. Rev. B36, 9, 4742 (1987)
  • S. Holmes, W.T. Yuen, T. Malik, S.J. Chang, A.G. Norman, R.A. Stradling, J.J. Harris, D.K. Maude, J.C. Portal. J. Phys. Chem. Sol. 56, 3/4, 445 (1995)
  • M.E. Raikh. Solid State Commun. 75, 11, 935 (1990)
  • M.E. Raikh, L.I. Glazman. Phys. Rev. Lett. 75, 1, 128 (1995)
  • M.S. Daly, D.M. Symons, M. Lakrimi, R.J. Nicholas, N.J. Mason, P.J. Walker. Semicond. Sci. Techn. 11, 823 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.