Вышедшие номера
Подвижность дефектов в GaAs при насыщении ЯМР переменным электрическим полем
Столыпко А.Л.1, Герр В.В.1
1Сыктывкарский государственный университет им. Питирима Сорокина, Сыктывкар, Россия
Поступила в редакцию: 31 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 20 января 1997 г.

Методом насыщения ЯМР переменным электрическим полем проведено экспериментальное наблюдение стимулированной трансляционной диффузии индия в высокоомном GaAs. Двумя независимыми способами измерен коэффициент диффузии индия. Сравнение результатов данных изменений дает наилучшее совпадение в предположении междоузельного механизма диффузии.