Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эпитаксиальные гетероструктуры сверхпроводник--сегнетоэлектрик для настраиваемых СВЧ-элементов

Бойков Ю.А.¹, Иванов З.Г.², Клаесон Т.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Physics Department, Chalmers University of Technology, Goteborg, Sweden

Поступила в редакцию: 1 августа 1996 г.

Выставление онлайн: 20 января 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы особенности формирования эпитаксиальных гетероструктур, включающих тонкие пленки YBa₂Cu₃O_7-delta и SrTiO₃, на R-плоскости сапфира. Тонкий слой CeO₂ и эпитаксиальная комбинация CeO₂/SrBi₂Nb₂O₉ были использованы в качестве буферных прослоек. Существенные различия наблюдались в температурных зависимостях varepsilon для пленки SrTiO₃ в случае конденсаторных структур YBa₂Cu₃O_7-delta/SrTiO₃/YBa₂Cu₃O_7-delta и Ag/SrTiO₃/YBa₂Cu₃O_7-delta. Двухкратное уменьшение varepsilon в пленке SrTiO₃ наблюдалось при приложении внешнего напряжения смещения U_b=±2.5 V в случае плоскопараллельной конденсаторной структуры YBa₂Cu₃O_7-delta/SrTiO₃/YBa₂Cu₃O_7-delta (T<100 K).

D.C. DeGroot, J.A. Beall, R.B. Marks, D.A. Rudman. IEEE Trans. Appl. Supercond. 5, 2272 (1995)
S.S. Gevorgian, D.I. Kaparkov, O.G. Vendik. Proc.-Microw. Antennas Propag. 141, 501 (1995)
O.G. Vendik, L.T. Ter-Martirosyan, A.I. Dedyk, S.F. Karmanenko, R.A. Chakalov. Ferroelectrics 144, 33 (1993)
Yu.A. Boikov, Z.G. Ivanov, A.L. Vasiliev, I. Pronin, E. Olsson, T. Claeson. Appl. Phys. Lett. 67, 2708 (1995)
Yu.A. Boikov, Z.G. Ivanov, A.L. Kiselev, E. Olsson, T. Claeson. J. Appl. Phys. 78, 4591 (1995)
R.C. Neville, B. Hoeneisen, C.A. Mead. J. Appl. Phys. 43, 2124 (1972)
B.F. Cole, G.-G. Liang, N. Newman, K. Char, G. Zaharchuk, J.S. Martens. Appl. Phys. Lett. 61, 1727 (1992)
A.P. Bramley, S.M. Morley, C.R.M. Grovenor, B. Pecz. Appl. Phys. Lett. 66, 517 (1995)
C.T. Cheung, E. Ruckenstein. J. Mater. Res. 4, 1 (1989)
Yu.A. Boikov, T. Claeson. J. Appl. Phys. To be published (1996)
A. Walkenhorst, C. Doughty, X.X. Xi, S.N. Mao, Q. Li, T. Venkatesan, R. Ramesh. Appl. Phys. Lett. 60, 1744 (1992)
J.R. Slack, J.R. Burfoot. J. Phys. C 4, 890 (1971)
J.J. Lee, C.L. Thio, S.B. Desu. J. Appl. Phys. 78, 5073 (1995)
A. Outzourhit, J.U. Trefny, T. Kito, B. Yarar. J. Mat. Res. 10, 1411 (1995)
K.M. Johnson. J. Appl. Phys. 33, 2826 (1961)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель