Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Сравнение эффективности пассивации поверхности GaAs из растворов сульфидов натрия и аммония

Бессолов В.Н.¹, Коненкова Е.В.¹, Лебедев М.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 8 апреля 1996 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Для выяснения возможности повышения эффективности как химической, так и электронной пассивации исследовались свойства поверхности GaAs, сульфидированной растворами неорганических сульфидов (Na₂S и (NH₄)₂S ) в различных амфипротонных растворителях (вода, спирты). Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и фотолюминесценции показано, что эффективность как химической, так и электронной пассивации поверхности GaAs возрастает с уменьшением диэлектрической проницаемости используемого растворителя. Степень этого возрастания в растворах сульфида сильного основания (Na₂S) выше, чем в растворах сульфида слабого основания ((NH₄)₂S ).

C.J. Sandroff, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischoff, R. Bhat. Appl. Phys. Lett. 51, 1, 33 (1987)
В.Н. Бессолов, А.Ф. Иванков, Е.В. Коненкова, М.В. Лебедев. Письма в ЖТФ 21, 1, 46 (1995)
В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, М.В. Лебедев. ФТТ 38, 9, 2656 (1996)
M.S. Carpenter, M.R. Melloch, B.A. Cowans, Z. Dardas, W.N. Delgass. J. Vac. Sci. Technol. B7, 4, 845 (1989)
В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев, Е.Б. Новиков. ФТТ 35, 3, 653 (1993)
В.Н. Бессолов, А.Ф. Иванков, М.В. Лебедев. ФТТ 38, 2, 563 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель