Издателям
Вышедшие номера
Люминесцентные исследования кубического нитрида бора, легированного бериллием
Шишонок Е.М.1, Taniguchi T.2, Sekiguchi T.3
1Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2Advanced Laboratory, NIMS, Tsukuba, Japan
3NIMS, Tsukuba, Japan
Email: shishonok@ifttp.bas-net.by
Поступила в редакцию: 6 июня 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.

Исследованы спектры катодолюминесценции и фотолюминесценции монокристаллов кубического нитрида бора cBN, легированных бериллием в условиях высоких давлений и температур. Установлено, что легирование бериллием приводит к стабильному образованию в спектрах катодолюминесценции cBN широкой полосы, положение максимума которой с увеличением концентрации примеси смещается в коротковолновую область спектра в интервале длин волн от ~ 315 до ~ 250 nm; при этом цвет кристаллов изменяется от темно-желтого до синего. По результатам исследований зависимостей структуры, интенсивности и положения максимума полосы от температуры измерения спектров катодолюминесценции предложена предварительная интерпретация ее природы в модели рекомбинации на дефектах донорного и акцепторного типов. Сделано предположение о присутствии вблизи валентной зоны легированного cBN нескольких перекрывающихся подзон, связанных с разнозарядными акцепторными уровнями бериллия. В спектрах фотолюминесценции легированных монокристаллов cBN зарегистрированы три неизвестные ранее бесфононные линии с энергиями 2.135, 2.27 и 2.60 eV. Работа выполнена в рамках проекта 6-15 ГКПНИ "Нанометриалы и нанотехнологии" 2006-2010 гг. (Белоруссия) с использованием некоторых данных, полученных в рамках работы Е.М. Шишонок по STA grant (Japan). PACS: 71.55.Eq, 74.25.Gz, 78.60.Hk, 78.55.-m
  • E.M. Shishonok, T. Taniguchi, K. Watanabe, H. Haneda, H. Kanda. Diamond Related Mater. 12, 1133 (2003)
  • Е.М. Шишонок. ЖПС 71, 803 (2004)
  • K. Era, O. Mishima. Mat. Res. Symp. Proc. 162, 556 (1990)
  • E.M. Shishonok, J.W. Steeds. Abstracts Int. Conf. "Doping issues in wide band-gap semiconductors". Exeter, U. K. (2001). P. 7
  • Н.Д. Тяпкина, М.М. Кривополенова, В.С. Вавилов. ФТТ 6, 2192 (1964)
  • J.B. Robertson, R.K. Franks. Solid State Commun. 6, 625 (1967)
  • J.B. Robertson. Bull. Am. Phys. Soc. 13, A 1475 (1968)
  • R.K. Franks, J.B. Robertson. Solid State Commun. 6, 479 (1967)
  • T. Taniguchi, J. Tanaka, O. Mishima, T. Ohsawa, S. Yamaoka. Diamond Related Mater. 2, 1473 (1993)
  • L.M. Gameza. High Press. Res. 18, 373 (2000)
  • P. Piquini, R. Mota, T. Schmidt, A. Fazzio. Phys. Rev. B 56, 3556 (1997)
  • V.A. Gubanov, Z.W. Lu, B.M. Klein, C.Y. Fong. Phys. Rev. B 53, 4377 (1996)
  • I.A. Huward. Solid State Commun. 99, 697 (1996)
  • L.P. Castineira, T.R. Leite, J.L.F. Silva, L.M.R. Scolfard, J.L.A. Alves, H.W.L. Alves. Phys. Stat. Sol. (b) 210, 401 (1998)
  • I. Gorczyca, A. Svane, N.E. Christiansen. Nitride Semiconductor Res. Internet journal. 3, article 48 (1998)
  • W. Hayes, A. Spray. Proc. Int. Conf. "Localized exitation in solids". N. Y. (1968). P. 140
  • B. Clerjaud, D. Cfte, C. Naud, R. Bouanani-Rahbi, D. Wasik, T. Suski, E. Litwin-Staszevska, M. Bockowski, I. Grzrgory. Abstarcts Int. Conf. "Doping issues in wide band-gap semiconductors". Exeter, U. K. (2001). P. 4
  • Е.М. Шишонок, В.Б. Шипило, А.М. Зайцев, Н.Г. Аниченко. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 26, 1651 (1990)
  • Е.М. Шишонок, В.Б. Шипило, А.И. Лукомский. ЖПС 53, 552 (1990)
  • A.M. Zaitsev, A.A. Melnikov, E.M. Shishonok, V.B. Shipilo. Phys. Stat. Sol. (a) 94, 125 (1985)
  • E.M. Shishonok, J.W. Steeds. Diamond Related Mater. 11, 1774 (2002)
  • S.J. Chung, O.H. Cha, C.-H. Hong, E.-K. Suh, B.H. Kim. J. Corea Phys. Soc. 37, 1003 (2000)
  • Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках. М. (1973). 456 с
  • N.M. Gasanly, A. Serpenguzel, A. Audini, O. Gurtu, I. Yilmaz. J. Appl. Phys. 85, 3198 (1999)
  • X.D. Chen, C.C. Ling, S. Fung, C.D. Beling, M. Gong, T. Henkel, H. Tanoue, N. Kobajashi. J. Appl. Phys. 93, 3117 (2003)
  • Е.М. Шишонок, Дж. Стидс. ЖПС 70, 651 (2003)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.