Вышедшие номера
Развитие сегнетоэлектрической фазы в < 001> ориентированных монокристаллах (100-x) PbMg1/3Nb2/3O3-xPbTiO3
Камзина Л.С.1, Снеткова Е.В.1, Раевский И.П.2, Емельянов А.С.2, Xu Jiayue3, Xiang Weidong4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-исследовательский институт физики, Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
3Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, P.R. China
4Wenzhou University, Wenzhou, P.R. China
Email: kamzin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 августа 2006 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2007 г.

-1 Исследовано влияние постоянного электрического поля на зарождение и развитие фазы с дальним порядком в кубической неполярной матрице в < 001> ориентированных релаксорных монокристаллах (100-x)PbMg1/3Nb2/3O3-xPbTiO3 при постепенном повышении концентрации PbTiO3 (6=<q x=<q 20, x - концентрация в mol.%). Изучались оптические свойства этих твердых растворов при разных режимах приложения электрического поля. Показано, что приложение электрического поля выше некоторого порогового значения индуцирует в них сегнетоэлектрический фазовый переход первого рода с температурным гистерезисом между измерениями при охлаждении и нагреве кристалла в электрическом поле. С увеличением x, а также напряженности электрического поля гистерезис становится менее выраженным, фазовый переход первого рода подавляется, и при x~ 20 индуцированный переход больше напоминает переход второго рода, чем первого. Высказано предположение, что в составах с x>10 в электрических полях, больших 4 kV/cm, помимо ромбоэдрической фазы индуцируется еще одна (может быть, моноклинная) фаза, связанная с поворотом вектора поляризации от направления [111] ромбоэдрической фазы к [001] тетрагональной фазы. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 05-02-17835 и 05-02-90568 ННС) и Президиума ОФН РАН. PACS: 77.84.Dy, 78.20.Ci, 77.80.Bh
  1. S.-E. Park, T.R. Shrout. J. Appl. Phys. 82, 1804 (1997)
  2. X. Zhao, J. Wang, H.I.W. Chan, C.I. Choy, H. Luo. J. Phys.: Cond. Matter 15, 6899 (2003)
  3. N. de Mathan, E. Husson, G. Calvarin, J.R. Gavarri, A.W. Hawat, A. Morell. J. Phys.: Cond. Matter. 3, 8159 (1991)
  4. G. Burns, F.H. Dacol. Solid State Commun. 48, 853 (1983); F. Chu, I.M. Reaney, N. Setter. Ferroelectrics 151, 343 (1994)
  5. Y. Uesu, H. Tazawa, K. Fujishiro, Y. Yamada. J. Korean. Phys. Soc. 29, S 703 (1996)
  6. H. Arndt, F. Sauerbier, G. Schmidt, L.A. Shebanov. Ferroelectrics 79, 145 (1988)
  7. Z.-G. Ye, H. Schmid. Ferroelectrics 145, 83 (1993)
  8. K. Fujishiro, T. Iwase, Y. Uesu, Y. Yamada, B. Dkhil, J.-M. Kiat, S. Mori, N. Yamamoto. J. Phys. Soc. Jap. 69, 2331 (2000)
  9. Л.С. Камзина, Н.Н. Крайник, О.Ю. Коршунов. ФТТ 37, 2765 (1995)
  10. Z.-G. Ye. Curr. Opin. Sol. State Mat. Sci. 6, 35 (2002)
  11. Z.-G. Ye, B. Noheda, M. Dong et al. Phys. Rev. 64, 184 114 (2001)
  12. J. Jang, K. Uchino, S. Nomura, L.E. Cross. Ferroelectrics 27, 31 (1980)
  13. O. Bunina, I. Zakharchenko, S. Yemelyanov, P. Timonin, Y. Sakhnenko. Ferroelectrics 157, 299 (1994)
  14. B. Dkhil, J.M. Kiat, G. Calvarin, G. Baldinozzi, S.B. Vakhrushev, S. Suard. Phys. Rev. B 65, 024 104 (2002)
  15. Z.-G. Ye, Y. Bing, G. Gao, A.A. Bokov, P. Stephens, B. Noheda, G. Shirane. Phys. Rev. B 67, 104 104 (2003)
  16. T.Y. Koo, P.M. Gehring, G. Shirane, V. Kiryuchin, S.-G. Lee, S.-W. Cheong. Phys. Rev. B 65, 144 113 (2002)
  17. S.M. Emelyanov, F.I. Savenko, Yu.A. Trusov, V.I. Torgashev, P.N. Timonin. Phase Trans. 45, 251 (1993); Л.С. Камзина, Н.Н. Крайник. ФТТ 42, 128 (2000)
  18. E. Colla, N. Yushin, D. Viehland. J. Appl. Phys. 83, 3298 (1998)
  19. I.P. Raevskii, S.A. Prosandeev, A.S. Emelyanov, S.I. Raevskaya, E.V. Colla, D. Vieland, W. Kleemann, S.B. Vakhrushev, J.-L. Dellis, M.E. Marssi. Phys. Rev. B 72, 184 104 (2005)
  20. H. Fu, R.E. Cohen. Nature (London) 403, 281 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.