Издателям
Вышедшие номера
Диэлектрические свойства кристаллов глицин фосфита в модели фазового перехода с учетом инвариантов высокого порядка
Балашова Е.В.1, Леманов В.В.1, Панкова Г.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: balashova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 июня 2006 г.
Выставление онлайн: 20 января 2007 г.

Исследованы диэлектрические аномалии в области сегнетоэлектрического фазового перехода в номинально чистых кристаллах глицин фосфита (GPI) и в кристаллах GPI с 2 mol.% примеси глицин фосфата (GP). Показано, что присутствие в кристалле GPI-GP внутренней макроскопической поляризации, обусловленной примесью, приводит к размытию диэлектрических аномалий как вдоль, так и перпендикулярно оси спонтанной поляризации. В кристаллах GPI и GPI-GP в сегнетоэлектрической фазе обнаружено необычное изменение обратной диэлектрической проницаемости в направлении Z, перпендикулярном оси спонтанной поляризации Y, которое описывается степенной зависимостью (Tc-T)n при значении степени n больше единицы. Для описания экспериментальных данных предложена термодинамическая модель с двумя параметрами порядка eta и P, имеющими различную физическую природу, но одинаковую симметрию (смещение (eta) и порядок-беспорядок (P) ), учитывающую инварианты связи типа eta P и eta3P, а в случае кристаллов GPI-GP --- также встроенную поляризацию. Получено хорошее соответствие между экспериментальными и теоретическими зависимостями. Определены коэффициенты билинейного и нелинейного взаимодействия между параметрами порядка. Показано, что фазовый переход в исследованных кристаллах близок к трикритической точке, а необычное температурное поведение диэлектрической проницаемости объясняется вкладом высоких инвариантов связи. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 04-02-17667, N 05-02-16012), грантом НШ-5169.2006.2 и программой ОФН РАН. PACS: 77.22.-d, 77.80.-e
  • S. Dacko, Z. Czapla, J. Baran, M. Drozd. Phys. Lett. A 223, 217 (1996)
  • В.В. Леманов, С.Г. Шульгин, В.К. Ярмаркин, С.Н. Попов, Г.А. Панкова. ФТТ 46, 1246 (2004)
  • Е.В. Балашова, В.В. Леманов, Г.А. Панкова. ФТТ 47, 176 (2005)
  • Е.В. Балашова, В.В. Леманов, Г.А. Панкова. Изв. РАН. Сер. физ. 69, 935 (2005)
  • B. Kosturek, J. Baran. Ferroelectrics Lett. 27 (1--2), 11 (2000)
  • Е.В. Балашова, В.В. Леманов, Г.А. Панкова. ФТТ 43, 1275 (2001)
  • J.A. Moreira, A. Almeida, L.G. Viera, J.L. Ribeiro, M.R. Chaves, M.L. Santos, A. Klopperpieper. Phys. Rev. B 72, 094 111 (2005)
  • R. Tchukvinskyi, Z. Czapla, R. Sobeistianskas, A. Brilingas, J. Grigas, J. Baran. Acta Phys. Polonika A 92, 1191 (1997)
  • Б.А. Струков, А.П. Леванюк. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. Наука, М. (1995). (B.A. Strukov, A.P. Levanyuk. Ferroelectrics Phenomena in Crystals. Springer-Verlag, Berlin (1998).)
  • Е.М. Лифшиц. ЖЭТФ 14(9), 353 (1944)
  • А.П. Плетнюк, Д.Г. Санников. ЖЭТФ 55, 256 (1968)
  • J. Holakovsky. Phys. Stat. Sol. (b) 56, 615 (1973)
  • Ю. Гуфман, Е.С. Ларин. ФТТ 22, 463 (1980)
  • E.V. Balashova, A.K. Tagantsev. Phys. Rev. B 48, 9979 (1993)
  • Y. Ishibashi. J. Phys. Soc. Jpn. 63, 2082 (1994)
  • I. Stasyuk, Z. Czapla, S. Dacko, O. Velychko. Condens. Metter Phys. 6, 483 (2003)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.