В рамках статистической динамической теории дифракции рассмотрено влияние дефектов структуры в нарушенном поверхностном слое совершенных полупроводниковых кристаллов на угловую зависимость когерентного и некогерентного (диффузного) рассеяния рентгеновских лучей. На примере эпитаксиальной пленки с дефектами кластерного типа показано, что диффузная компонента рассеяния существенным образом изменяет интенсивность и профиль кривой дифракционного отражения. Исследована зависимость углового распределения дифракции от размера и концентрации дефектов в поверхностном слое, от его толщины и величины деформации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.