Экспериментально получено изменение положения края собственного поглощения сверхрешеток Si-SiO₂ при изменении их периода за счет изменения толщины слоев окиси кремния. Показано, что полученные результаты можно объяснить изгибом зон на границе раздела Si-SiO₂.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.