Издателям
Вышедшие номера
О центрах примесной фотопроводимости и скрытого изображения в кристаллах Bi12SiO20 и его аналогах
Красинькова М.В., Мойжес Б.Я.
Выставление онлайн: 20 августа 1989 г.

Предполагается, что кристаллы Bi12SiO20 и его аналоги, выращенные (отожженные) на воздухе, имеют стехиометрический избыток кислорода, приводящий к образованию Bi5+ в подрешетке Bi3+. Bi5+ может рассматриваться как дырочный биполярон. Запись изображения в примесной области поглощения сопровождается возбуждением биполярона, диссоциацией его на две дырки, движением этих дырок во внешнем электрическом поле, рекомбинацией дырок с образованием биполярона, т. е. Bi5+, но уже на некотором расстоянии от места возбуждения. Возникающее при этом перераспределение концентрации биполяронов приводит к образованию внутреннего электрического поля в кристалле. Записанное таким образом изображение диамагнитно и устойчиво во времени.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.