Исследован механизм дефектообразования в гетероструктуpax (ГС) In_1-xGa_xAs_1-ySb_y/GaSb (x=0.08/0.13, y=0.19/0.24), выращенных методом жидкофазной эпитаксии. Исследование проводилось методами рентгеновской топографии, дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ). Показано, что исследованные гетероструктуры характеризуются значительным уровнем термических напряжений и большей пластичностью подложки по сравнению с пленкой; релаксация напряжений в них через образование полных сеток дислокаций несоответствия затруднена и существенную роль играет образование частичных дислокаций и дефектов упаковки (ДУ). При этом существует область деформаций, характеризующаяся малой плотностью ДУ в слое и отвечающая достаточно хорошим физическим характеристикам ГС. Анализ зависимости нормальной компоненты деформации слоя от состава позволяет предположить, что при росте имеют место частичный распад твердого раствора и образование включений второй фазы. По данным ПЭМ, включения второй фазы, как и ДУ, являются основными структурными дефектами в слоях In_1-xGa_xAs_1-ySb_y/GaSb (x~0.1, y~0.2). Сделана оценка разности коэффициентов термического расширения слой-подложка, которая оказалась равной Deltaalpha~=4·10^-6 град^-1.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.