Плотность электронного заряда валентных зон для слоистого полупроводникового соединения GeSe рассчитана с использованием волновых функций псевдопотенциального гамильтониана. Показано, что в GeSe значительная часть заряда нижних четырех валентных зон сосредоточена вблизи атомов Se. Заряд следующей группы четырех зон сосредоточен в основном вблизи атомов Ge. Для зон 9-16 заряд практически располагается посередине между атомами Ge и Se. Интересной особенностью обладает распределение заряда самых верхних валентных зон 17-20. По-видимому, эти зоны обязаны своим происхождением p-состояниям атомов Se и частично s-состояниям атомов Ge.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.