Издателям
Вышедшие номера
Межкластерная проводимость слаболегированных манганитов La1-xCaxMnO3 в парамагнитной области температур
Солин Н.И.1, Наумов С.В.1, Арбузова Т.И.1, Костромитина Н.В.1, Иванченко М.В.2, Саранин А.А.2, Чеботаев Н.М.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия
Email: solin@imp.uran.ru
Поступила в редакцию: 19 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.

В температурном интервале от 77 до 400 K исследованы магнитотранспортные и магнитные свойства отожженных в вакууме и в атмосфере кислорода поликристаллов La1-xCaxMnO3 (x=0-0.3). Магнитные исследования слаболегированных манганитов показывают сохранение ближнего магнитного порядка до температуры T*~300 K, которая примерно в 2-3 раза выше их температуры Кюри TC. Температурная зависимость электросопротивления от T* почти до T~ TC описывается выражением ~ T-1/2, характерным для гранулированных металлов при туннелировании электронов между распыленными в диэлектрической матрице нанокластерами магнитных металлов. Обнаружено увеличение магнитосопротивления поликристаллов при отжиге в атмосфере кислорода. Электрические, магнитные и магнитотранспортные свойства манганитов объясняются появлением ниже T* магнитных нанокластеров, туннелированием (или прыжками) носителей между ними, изменениями размеров магнитных кластеров, толщины туннельного барьера в зависимости от температуры, напряженности магнитного поля, а также влиянием отжига в разных атмосферах на свойства кластеров. Работа поддержана программами Президиума РАН "Квантовая макрофизика", ОФН РАН "Новые материалы и структуры" и выполнена в рамках программы научного сотрудничества УрО РАН и ДВО РАН. PACS: 75.47.Gr, 75.47.Lx, 72.15.Lx
  • A.J. Millis, P.B. Littlewood, B.I. Shraiman. Phys. Rev. Lett. 74, 5144 (1995)
  • M. Jaime, M.B. Salamon, M. Rubinstein, R.E. Treece, J.S. Horwitz, D.B. Chriesey. Phys. Rev. B 54, 11 914 (1996)
  • A.S. Alexandrov, A.M. Bratkovssky. Phys. Rev. Lett. 82, 141 (1999); A.S. Alexandrov, A.M. Bratkovssky. J. Phys.: Cond. Matter 11, 1989 (1999)
  • C.M. Varma. Phys. Rev. B 54, 7328 (1996)
  • L. Sheng, D.Y. Xing, D.N. Sheng, C.S. Ting. Phys. Rev. Lett. 79, 1710 (1997)
  • M.B. Salamon, M. Jaime. Rev. Mod. Phys. 73, 583 (2001)
  • Э.Л. Нагаев. УФН 166, 833 (1996); Письма в ЖЭТФ 6, 484 (1967)
  • A. Moreo, S. Yunoki, E. Dagotto. Science 283, 2034 (1999)
  • E. Dagotto. New J. Phys. 7, 67 (2005)
  • M. Hennion, F. Mussa, G. Biotteau, J. Rodriguez-Carvajal, L. Pinsard, A. Revcolovschi. Phys. Rev. Lett. 81, 1957 (1998); Phys. Rev. B 61, 9513 (2000); G. Biotteau, M. Hennion, F. Mussa, J. Rodriguez-Carvajal, L. Linsard, A. Revcolevschi, Y.M. Mukovskii, D. Shulytev. Phys. Rev. B 64, 104 421 (2001)
  • С.Ф. Дубинин, В.Е. Архипов, С.Г. Теплоухов, В.Д. Пархоменко, Н.Н. Лошкарева, Н.И. Солин. ФТТ 45, 2192 (2003)
  • R.M. Kusters, J. Singleton, D.A. Keen, R.McGreevy, W. Hayes. Physica B 155, 362 (1989)
  • J.M.De Teresa, M.R. Ibarra, P.A. Algarabel, C. Ritter, C. Margulna, Z. Arnold. Nature 386, 256 (1997)
  • R.B. Griffits. Phys. Rev. Lett. 23, 17 (1969)
  • M.B. Salamon, P. Lin, S.H. Chun. Phys. Rev. Lett. 88, 197 203 (2002); M.B. Salamon, S.H. Chun. Phys. Rev. B 68, 014 411 (2003); N. Rama, M.S. Ramachandra Rao, V. Sankaranarayanan, P. Majevski, S. Gepraegs, M. Opel, R. Gross. Phys. Rev. B 70, 224424 (2004); V.A. Ivanshin, J. Deisenhofer, H.A. Krug von Nidda, A. Loidl. J. Mang. Mang. Mater. 310, 1966 (2007)
  • Л.И. Королева, Р.В. Демин, А.М. Балбашов. Письма в ЖЭТФ 65, 449 (1997)
  • Н.И. Солин, В.А. Казанцев, Л.Д. Фальковская, С.В. Наумов. ФТТ 47, 1826 (2005)
  • Н.А. Бабушкина, Е.А. Чистотина, К.И. Кугель, А.Л. Рахманов, О.Ю. Горбенко, А.Р. Кауль. ФТТ 45, 480 (2003)
  • К.И. Кугель, А.Л. Рахманов, А.О. Сбойчаков, М.Ю. Каган, И.В. Бродский, Л.В. Клапцов. ЖЭТФ 125, 648 (2004)
  • Н.И. Солин. ЖЭТФ 128, 623 (2005); Н.И. Солин, В.В. Машкауцан, А.В. Королев, Н.Н. Лошкарева, Л. Пинсард. Письма в ЖЭТФ 77, 275 (2003)
  • R. Shiozaki, K. Takenaka, Y. Savaki, S. Sugai. Phys. Rev. B 63, 184 419 (2001)
  • J.F. Mitchell, D.N. Argyriou, C.D. Potter, D.G. Hinks, J.D. Jorgensen, S.D. Bader. Phys. Rev. B 54, 16 172 (1996)
  • Y.H. Hyang, M. Karppinena, H. Yamauchi, J.B. Goodenough. J. Appl. Phys. 98, 033 911 (2005)
  • M. Croft, D. Sills, M. Greenblatt, C. Lee, K.V. Ramanujachary, D. Tran. Phys. Rev. B 55, 8726 (1997)
  • A.M. Balbashov, S.G. Karabashev, Ya.M. Mukovskii. J. Cryst. Growth 167, 365 (1996)
  • F. Mussa, M. Hennion, J. Rodriguez-Carvajal, H. Moudden, L. Pinsard, A. Revcolevschi. Phys. Rev. B 54, 15 149 (1996)
  • T. Okuda, Y. Tomioka, A. Asamitsu, Y. Tokura. Phys. Rev. B 61, 8009 (2000)
  • В.Е. Найш. ФММ 92, 16 (2001)
  • R. Laiho, K.G. Lisunov, E. Lahderanta, P. Petrenko, J. Salminen, V.N. Stamov, V.S. Zakhvalinskii. J. Phys.: Cond. Matter 12, 5751 (2000); R. Laiho, E. Lahderanta, J. Salminen, K.G. Lisunov, V.S. Zakhvalinskii. Phys. Rev. B 63, 094 405 (2001)
  • L. Ghivelder, I. Abrego Castillo, M.A. Gusmao, J.A. Alonso, L.F. Cohen. Phys. Rev. B 60, 12 184 (1999)
  • D.N.H. Nam, K. Jonason, P. Nordblad, N.V. Khiem, N.X. Phuc. Phys. Rev. B 59, 4189 (1996)
  • М.Ю. Каган, К.И. Кугель. УФН 171, 577 (2001)
  • A.L. Rakhmanov, K.I. Kugel, Ya.M. Blanter, M.Yu. Kagan. Phys. Rev. B 63, 174 424 (2001); А.О. Сбойчаков, А.Л. Рахманов, К.И. Кугель, М.Ю. Коган, И.В. Бродский. ЖЭТФ 122, 869 (2002)
  • P. Sheng, B. Abeles. Phys. Rev. Lett. 28, 34 (1972); J.S. Helman, B. Abeles. Phys. Rev. Lett. 37, 1429 (1976)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). 416 с
  • A.A. Taskin, A.N. Lavrov, Yoichi Ando. Phys. Rev. B 71, 134 414 (2005); J. Wu, J.W. Lynn, C.J. Glinka, J. Burley, H. Zheng, J.F. Mitchell, C. Leighton. Phys. Rev. Lett. 94, 037 201 (2005); L. Balcells, J. Fontcuberta, B. Martinez, X. Obradors. Phys. Rev. B 58, R 14 697 (1998)
  • A. Maignan, C. Martin, G. Van Tendeloo, M. Hervieu, B. Raveau. Phys. Rev. B 60, 15 214 (1999)
  • I.G. Austin, N.F. Mott. Adv. Phys. 18, 41 (1969); Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. В 2-х т. Пер. с англ. Мир, М. (1982). Гл. 2--4, 6
  • J. Inoue, S. Maekawa. Phys. Rev. B 53, R 11 927 (1996).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.