Теоретически и экспериментально исследован объемный фотогальванический эффект (ФГЭ) на межзонных переходах в арсениде галлия. В чистом GaAs при гелиевой температуре измерены зависимости ФГЭ от поляризации и частоты света, а также от магнитного поля. Экспериментально обнаружен поворот тока ФГЭ в магнитном поле. Из зависимостей спектров ФГЭ от магнитного поля определено время релаксации импульса баллистических фотоэлектронов как функция их энергии. Полученные результаты сопоставлены с количественной теорией, учитывающей зонную структуру и особенности механизмов рассеяния в GaAs. Теория хорошо описывает поляризационные и магнитные зависимости ФГЭ, в то время как в форме спектра имеются отличия от эксперимента.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.