Построeна теория рассеяния света неравновесной электронно-дырочной плазмой в столкновительном режиме в полупроводниках. Исследована форма линии рассеянного света квазинейтральными флуктуациями плотности. Показано, что далекое крыло линии может определяться флуктуациями неосновных носителей, не полностью подавленными кулоновским экранированием.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.