Издателям
Вышедшие номера
Рекомбинационно-стимулированная миграция и образование дефектов
Павлович В.Н.
Выставление онлайн: 19 сентября 1988 г.

Рассмотрен одновременный переход примесного атома из одного равновесного положения в соседнее и электрона из возбужденного (зонного) состояния на глубокий уровень дефекта. Рассмотрены надбарьерные переходы примеси при учете деформационной (поляронной) энергии активации. Показано, что электронный переход может стимулировать диффузионный переход только при больших поляронных энергиях активации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.