Издателям
Вышедшие номера
Эффекты высокой плотности в тонкой структуре экситонного резонанса кристалла CdS
Нельсон Д.К., Разбирин Б.С.
Выставление онлайн: 20 августа 1988 г.

Исследовались спектры экситонной люминесценции кристалла CdS при высокой плотности возбуждения в поляризации E|| c. Установлено, что при повышении интенсивности возбуждения P до 100 кВт/см2 положение узкой линии запрещенного экситона AF(Gamma6) остается неизменным с точностью до 0.05 мэВ, что свидетельствует о неизменном положении экситонного уровня. В то же время обнаружено длинноволновое смещение линии продольного экситона AL(Gamma5L) при повышении плотности накачки. При P=100 кВт/см2 величина этого смещения составляет 0.5 мэВ. Данное смещение связывается с уменьшением величины продольно-поперечного расщепления и соответственно силы осциллятора экситонного перехода, обусловленным экранированием кулоновского взаимодействия в системе экситонов и носителей высокой плотности. Отмечается, что наблюдаемый эффект может служить методом оценки уменьшения энергии связи экситона при повышении плотности возбуждения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.