Издателям
Вышедшие номера
Поглощение света и линейный фотогальванический эффект, обусловленные несоразмерной сверхструктурой в сегнетоэлектрике Ba2NaNb5O15
Есаян С.X., Ивченко Е.Л., Кавецкий А.Г.
Выставление онлайн: 20 августа 1988 г.

Измерены температурные зависимости коэффициента поглощения света alpha и компоненты Deltachi=chi31-chi32 фотогальванического тензора chi в несоразмерной фазе кристалла Ba2NaNb5O15. Эти зависимости немонотонны и определяются не только скоростью изменения температуры, но и предшествующими условиями. Исключение составляет комнатная температура, при которой все зависимости alpha(T) или Deltachi(T) пересекаются. Анализ экспериментальных данных свидетельствует о существовании в Ba2NaNb5O15 двух типов дефектов, взаимодействующих с антифазными границами и определяющих оптическое поглощение и фотоэлектрические явления в спектральной области homega<3 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.