Издателям
Вышедшие номера
Образование периодических структур дефектов на поверхности полупроводников при импульсном лазерном облучении
Емельянов В.И., Кашкаров П.К., Чеченин Н.Г., Дитрих Т.
Выставление онлайн: 20 июля 1988 г.

Экспериментально обнаружено образование периодических структур дефектов на поверхности GaP при облучении ее мощными наносекундными импульсами УФ эксимерного лазера. Наблюденный эффект интерпретируется как результат развития на поверхности электронно-деформационно-тепловой неустойчивости при межзонных переходах. Получено хорошее согласие развитой теории с экспериментом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.