Издателям
Вышедшие номера
Дефектообразование в кристаллах GdS и ZnSe под воздействием излучения азотного и эксимерного лазеров
Бохонов А.Ф., Творонович Л.Н., Яблонский Г.П.
Выставление онлайн: 20 мая 1988 г.

Под воздействием излучения N2- и XeCl-лазеров с интенсивностью I0~5-10 МВт/см2 в монокристаллах CdS и ZnSe распадаются комплексы с участием собственных дефектов решетки и образуются новые, которые оказывают слабое влияние на процессы излучательной рекомбинации при низких уровнях возбуждения люминесценции и превращаются в безызлучательные при достаточно высоких. При I0>~=50 МВт/см2 возникает плазма, происходит повреждение поверхности и образование на ней периодических структур. Изучено влияние электрического поля на люминесцентные свойства кристаллов CdS. Показано, что нагрев области облучения не превышает 100 K. Обсуждается влияние упругих напряжений и электрических полей на процессы дефектообразования.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.