Издателям
Вышедшие номера
Динамика выстраивания ян-теллеровских центров CuGa в GaAs при давлении вдоль оси [001]
Аверкиев Н.С., Гуткин А.А., Осипов Е.Б., Седов В.Е., Цацульников А.Ф.
Выставление онлайн: 19 апреля 1988 г.

Рассмотрено влияние процесса рекомбинации электронно-дырочных пар через ян-теллеровский центр CuGa в GaAs на степень его выстраивания в условиях давления P вдоль оси [001]. Показано, что увеличение темпа рекомбинации может привести к уменьшению степени выстраивания центров, которое проявляется в уменьшении поляризации фотолюминесценции с увеличением интенсивности возбуждающего света. Этот эффект обнаружен и экспериментально исследован в p-GaAs при температуре ~2 K. На основании анализа результатов эксперимента установлено, что постоянная времени выстраивания центров составляет (2-40)·10-5 с при P=0 и уменьшается с увеличением P до ~600 бар приблизительно на два порядка.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.