Издателям
Вышедшие номера
Кислородно-вакансионные комплексы в облученных нейтронами кристаллах фенакита
Зацепин А.Ф., Кортов В.С., Калентьев В.А., Ушкова В.И.
Выставление онлайн: 19 апреля 1988 г.

Установлено, что в кристаллах фенакита Be2SiO4 при облучении быстрыми нейтронами дозой свыше 6·1017 н·см-2 эффективно генерируются агрегатные комплексы, представляющие собой дивакансии кислорода в кремнекислородной решетке Be2SiO4. Указанные дефекты создают центры оптического поглощения с lambdamax=250 нм и обусловливают возникновение рентгенолюминесценции с lambdamax=430 нм. Присутствие кислородных дивакансий существенно влияет на термическое упорядочение структуры отлученного Be2SiO4, инициируя эффект антиотжига моновакансий кислорода (E'-центры). Температурный интервал процессов отжига поверхностных вакансионных дефектов смещен приблизительно на 100 K в область низких температур по сравнению с аналогичным интервалом для объемных дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.