Вышедшие номера
Влияние нестехиометрии состава на проводимость кристаллов LiNaGe4O9
Волнянский М.Д.1, Трубицын М.П.1, Бибикова О.А.1
1Днепропетровский национальный университет им. Олеся Гончара, Днепропетровск, Украина
Email: OksanaBibikova@i.ua
Поступила в редакцию: 5 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.

Электропроводность sigma кристаллов Li2-xNaxGe4O9 (x=1, 0.5, 0.2) исследована в переменном поле на частоте 1 kHz в диапазоне температур 300-800 K. Для кристаллов состава x=1 при T>500 K обнаружена значительная анизотропия электропроводности. Показано, что с изменением состава от x=1 до x=0.2 вдоль определенных кристаллографических направлений sigma возрастает более чем на три порядка. Полученные результаты обсуждаются с учетом особенностей структуры исследуемых кристаллов. Предполагается, что основными носителями заряда являются междоузельные ионы Li, мигрирующие вдоль каналов каркасной структуры кристаллов Li2-xNaxGe4O9.