Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2014, выпуск 5 » Статья стр. 1015
<<<>>>
Эффект накопления и релаксации носителей заряда в активной области полимерных и композитных (полимер--наночастицы золота) полевых транзисторных структур
Дементьев П.А.1, Дунаевский М.С.1, Алешин А.Н.1,2, Титков А.Н.1,2, Макаренко И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: demenp@yandex.ru
Поступила в редакцию: 24 октября 2013 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.
PDF версия
Методом Кельвин-зонд-микроскопии исследованы эффекты накопления и релаксации носителей заряда в активной области полимерных полевых транзисторных структур на основе полупроводникового полимера - полиэпоксипропилкарбазола. Показано, что введение в полимер наночастиц золота заметно ускоряет рассматриваемые процессы. Характерные времена процессов накопления и диссипации зарядов при приложении и снятии потенциала на затворе транзистора составляют в этом случае несколько минут. Работа выполнена при поддержке Программы фундаментальных исследований Президиума РАН П-8 (направление "Полифункциональные материалы для молекулярной электроники"), гранта РФФИ N 11-02-00451-а и гранта Президента для научных школ (НШ-3008.2012.2).
  1. T.A. Skotheim, J.R. Reynolds. Handbook of conducting polymers. V. 1--2. 3rd ed. CRC Press, N.Y. (2007). Р. 1949
  2. Y. Yang, J. Ouyang, L. Ma, R.J. Tseng, C.W. Chu. Adv. Func. Mater. 16, 1001 (2006)
  3. J. Campbell Scott, L.D. Bozano. Adv. Mater. 19, 1452 (2007)
  4. А.Н. Алешин, Е.Л. Александрова. ФТТ 50, 10, 1895 (2008)
  5. Э.А. Лебедев, Е.Л. Александрова, А.Н. Алешин. ФТТ 51, 1, 195 (2009)
  6. Е.Л. Александрова, Э.А. Лебедев, Н.Н. Константинова, А.Н. Алешин. ФТТ 52, 1, 393 (2010)
  7. W. Wu, H. Zhang, Y. Wang, S. Ye, Y. Guo, C. Di, G. Yu, D. Zhu, Y. Liu. Adv. Func. Mater. 18, 2593 (2008)
  8. W.L. Leong, N. Mathews, B. Tan, S. Vaidyanathan, F. Dotz, S. Mhaisalkar. J. Mater. Chem. 21, 5203 (2011)
  9. C. November, D. Guerin, K. Lmimouni, C. Gamrat, D. Vuillaume. Appl. Phys. Lett. 92, 103 314 (2008)
  10. L. Zhen, W. Guan, L. Shang, M. Liu, G. Liu. J. Phys. D 41, 135 111 (2008)
  11. M.F. Mabrook, Y. Yun, C. Pearson, D.A. Zeze, M.C. Petty. Appl. Phys. Lett. 94, 173 302 (2009)
  12. А.Н. Алешин, Ф.С. Федичкин, П.Е. Гусаков. ФТТ 53, 2251 (2011)
  13. A.N. Aleshin, I.P. Shcherbakov. J. Phys. D 43, 315 104 (2010)
  14. A.N. Aleshin, E.L. Alexandrova, I.P. Shcherbakov. Eur. Phys. J. Appl. Phys. 51, 33 202 (2010)
  15. E. Escasain, E. Lopes-Elvira, A.M. Baro, J. Colchero, E. Palacios-Lidon. Nanotechnology 22, 375 704 (2011)
  16. M.S. Dunaevskiy, P.A. Alekseev, P. Girard, E. Lahderanta, A. Lashkul, A.N. Titkov. J. Appl. Phys. 110, 084 304 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2022 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme