Вышедшие номера
Поверхностные состояния носителей заряда в эпитаксиальных пленках топологического изолятора Bi2Te3
Лукьянова Л.Н.1, Бойков Ю.А.1, Данилов В.А.1, Усов О.А.1, Волков М.П.1,2, Кутасов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Международная лаборатория сильных магнитных полей и низких температур, Вроцлав, Польша
Email: lidia.lukyanova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 4 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.

Исследованы гальваномагнитные свойства гетероэпитаксиальных пленок p-типа теллурида висмута, выращенных методом горячей стенки на ориентирующих подложках слюды мусковит. В сильных магнитных полях от 6 до 14 T при низких температурах исследованы квантовые осцилляции магнетосопротивления, связанные с поверхностными состояниями электронов в 3D топологических изоляторах. На основе анализа осцилляций магнетосопротивления определены циклотронная эффективная масса, подвижность носителей заряда и параметры поверхности Ферми. Установлены зависимости площади сечения поверхности Ферми S(kF), волнового вектора kF и поверхностной концентрации носителей заряда ns от частоты осцилляций магнетосопротивления в исследуемых гетероэпитаксиальных пленках p-Bi2Te3. Экспериментально наблюдавшийся сдвиг индекса уровней Ландау согласуется со значением фазы Берри, характерным для топологических поверхностных состояний дираковских фермионов в пленках. Свойства топологических поверхностных состояний носителей заряда в пленках Bi2Te3 p-типа, полученные с помощью анализа осцилляций магнетосопротивления, существенно расширяют области практического применения и стимулируют исследования транспортных свойств халькогенидных пленок. Работа частично поддержана РФФИ (проект N 13-08-00307a).
  1. L. Fu, C.L. Kane. Phys. Rev. B 76, 045 302 (2007)
  2. M.Z. Hasan, C.L. Kane. Rev. Mod. Phys. 82, 3045 (2010)
  3. Y.L. Chen, J.-H. Chu, J.G. Analytis, Z.K. Liu, K. Igarashi, H.-H. Kuo, X.L. Qi, S.K. Mo, R.G. Moore, D.H. Lu, M. Hashimoto, T. Sasagawa, S.C. Zhang, I.R. Fisher, Z. Hussain, Z.X. Shen. Science 325, 178 (2010)
  4. D.-X. Qu, Y.S. Hor, J. Xiong, R.J. Cava, N.P. Ong. Science 329, 821 (2010)
  5. A. Taskin, Z. Ren, S. Sasaki, K. Segawa, Y. Ando. Phys. Rev. Lett. 107, 016 801 (2011)
  6. P. Gehring, B.F. Gao, M. Burghard, K. Kern. Nano Lett. 12, 5137 (2012)
  7. L. He, F. Xiu, X. Yu, M. Teague, W. Jiang, Y. Fan, X. Kou, M. Lang, Y. Wang, G. Huang, N.-C. Yeh, K.L. Wang. Nano Lett. 12, 1486 (2012)
  8. X. Yu, L. He, M. Lang, W. Jiang, F. Xiu, Z. Liao, Y. Wang, X. Kou, P. Zhang, J. Tang, G. Huang, J. Zou, K.L. Wang. Nanotechnology 24, 015 705 (2013)
  9. Y. Yan, Z.-M. Liao, Y.-B. Zhou, H.-C. Wu, Y.-Q. Bie, J.J. Chen, J. Meng, X.-S. Wu, D.-P. Yu. Sci. Rep. 3, 1264, (2013)
  10. Z. Ren, A. Taskin, S. Sasaki, K. Segawa, Y. Ando. Phys. Rev. B 82, 241 306 (2010)
  11. J.G. Analytis, R.D. McDonald, S.C. Riggs, J.-H. Chu, G.S. Boebinger, I.R. Fisher. Nature Phys. 6, 12, 960 (2010)
  12. A. Lopez-Otero. Thin Solid Films 49, 3 (1978)
  13. Ю.А. Бойков, О.С. Грибанова, В.А. Данилов. В.А. Кутасов. ФТТ 33, 3414 (1991)
  14. T.I. Kamins. J. Appl. Phys. 42, 4357 (1971)
  15. D. Shoenberg. Magnetic oscillations in metals. Ser. Monographs on physics. Cambridge University Press, Cambridge (2009). 596 p
  16. K. Seeger. Semiconductor physics. Springer-Verlag, Berlin--Heidelberg--N.Y. 537 p
  17. A.R. Wright, R.H. McKenzie. Phys. Rev. B 87, 085 411 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.