Издателям
Вышедшие номера
Тонкие структуры и переключение электропроводности в лабиринтных пленках серебра на сапфире
Вартанян Т.А.1, Гладских И.А.1, Леонов Н.Б.1, Пржибельский С.Г.1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
Email: przhi@mail.ru
Поступила в редакцию: 8 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.

Определены изменения сопротивления пленок серебра в интервале 1013-103 Omega в процессе их термического напыления на сапфир в глубоком вакууме, после напыления со временем, а также производимые в них электрическим напряжением. Установлены зависимости сопротивления пленок от толщины и скорости их напыления. При изменении толщин пленок от 2 до 10 nm во время напыления со скоростями 0.6 и 0.1 Angstrem/s их сопротивления уменьшались на 7.5 и 4 порядка соответственно. Зависимости сопротивлений от длительности напыления получались близкими к экспоненциальным. У напыленных с различной скоростью пленок толщиной 10 nm сопротивление при комнатной температуре менялось самопроизвольно на 3-4 порядка по-разному: оно росло для напылявшихся медленно и падало для напылявшихся быстро. Установившиеся сопротивления тех и других увеличивались при слабых отжигах также по-разному: у первых --- на 2 порядка, у вторых --- на 9 порядков. Под напряжением >5 V сопротивление последних падало резко от ~1012 до ~106 Omega, и эти пленки становились омическими. Они превращались снова в высокоомные при слабом отжиге. Получившиеся высокоомные пленки опять становились низкоомными под действием указанного напряжения. Такой цикл переключения электропроводности воспроизводился многократно. Объяснение обнаруженных явлений основано на гипотезе образования в каналах лабиринтных пленок тонких метастабильных структур: выступов и мостиков, сближающих границы островков и соединяющих их в проводящие кластеры соответственно. Работа выполнена в рамках темы 411513, финансируемой из централизованных средств НИУ ИТМО.
  • К.Л. Чопра. Электрические явления в тонких пленках. Мир, М. (1972). 435 с
  • A. Kiesowa, J.E. Morris, C. Radehaus, A. Heilmann. J. Appl. Phys. 94, 10, 6988 (2003)
  • A. Kapitulnik, G. Deutscher. Phys. Rev. Lett. 49, 19, 1444 (1982)
  • S. Wagner, A. Pundt. Phys. Rev. B 78, 155 131 (2008)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). 416 с
  • Э.И. Точицкий. Кристаллизация и термообработка тонких пленок. Наука и техника, Минск (1978). 376 с
  • K.H. Ernst, A. Ludviksson, R. Zhang, C.N. Campbell. Phys. Rev. B 47, 20, 13 782 (1993)
  • Ю.С. Бараш. Силы Ван-дер-Ваальса. Наука, М. (1988). 344 с
  • W.W. Mullins. J. Appl. Phys. 28, 3, 333 (1957)
  • В.В. Климов. Наноплазмоника. Физматлит, М. (2009). 264 с
  • В.М. Иевлев, Л.И. Трусов, В.А. Холмянский. Структурные превращения в тонких пленках. Металлургия, М. (1988). 325 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.